Goto page Previous 1, 2, 3, 4, 5, 6 Next
re
Guest
Thu Sep 22, 2016 4:10 pm
Użytkownik "Marek"
Quote:
Niektore zrodla twierdza, ze na takiej karcie blok pamieci Flash ma nawet
i 256kB.
Zapisywanie mniejszymi porcjami oznacza koniecznosc przydzielenia nowego
bloku i przepisania do niego zawartosci starego z nowa modyfikacja.
I co z tego? Co ta nieistotna informacja tym kontekście sprawy wnosi
do wątku?
---
Bardzo dużo. Zanim tak duży blok zostanie w całości wypełniony może być
zapisany np 100 tysięcy razy a taki właśnie ma limit ilości zapisów.
Marek
Guest
Thu Sep 22, 2016 4:10 pm
On Thu, 22 Sep 2016 15:31:33 +0200, slawek <fake@fakeemail.com> wrote:
Quote:
Przyczyn jest czternaście. Pierwsza: dla maksymalizacji zysku.
Błagam, to nie jest jedyna metoda na to.
--
Marek
Marek
Guest
Thu Sep 22, 2016 4:12 pm
On Thu, 22 Sep 2016 15:36:50 +0200, slawek <fake@fakeemail.com> wrote:
Quote:
. A nie zaprzeczaj: dałoby się i na ultrabooku od Apple.
Nie, bo na ultrabooku nie spełniłoby założeń funkcjonalnych.
--
Marek
Jawi
Guest
Thu Sep 22, 2016 4:56 pm
W dniu 2016-09-22 o 11:06, J.F. pisze:
Quote:
Ogolnie to chyba nie - fabryki BASF widuje, nawet w kraju. Cos tam
robia, nawet nie wiem co.
To firma chemiczna
--
"Lubię pracować, a nawet palę się do roboty. Praca tak mnie urzeka,
że mogę całymi godzinami siedzieć i patrzyć na nią"
AlexY
Guest
Thu Sep 22, 2016 5:29 pm
Marek pisze:
[..]
Quote:
Sens jest taki, że daje komfort użycia więcej ram i flash bez zbędnego
kombinowania (jeśli nie pisze się softu na konkurs p.t."ile
funkcjonalniści da się zmieścić w 1kB ram i 16kB flash").
Ale w tym cała radocha, kompilator Ci mówi: "nie da rady" a Ty zacierasz
rączki i do niego: "taaa? To obczaj to..."
Ja osobiście mam manię że wiem co w dowolnym momencie procek robi, a
jest to niewykonalne w Twoim wariancie. Nie mniej rozumiem, nie oceniam,
są w pewnym momencie takie zagadnienia że przesiadka na coś mocniejszego
jest jedyną opcją. Szczęśliwie jeszcze nie musiałem.
[..]
--
AlexY
http://faq.enter.net.pl/simple-polish.html
http://www.pg.gda.pl/~agatek/netq.html
Zbych
Guest
Thu Sep 22, 2016 7:31 pm
W dniu 20.09.2016 o 23:31, AlexY pisze:
Quote:
Zbych pisze:
W dniu 20.09.2016 o 20:08, AlexY pisze:
[..]
Wytrzymuje jak najbardziej, zasilanie buforowe, dioda odcina
pastylkę 3V
jeśli jest zasilanie główne (np. 3.3V). SRAM na samym podtrzymaniu nie
bierze nic jeśli jest sprawny.
Owszem bierze, mogą to być prądy od ułamka do pojedynczych uA. Do tego
wypadałoby blokować zapis do RAMu po wykryciu spadku zasilania głównego,
żeby przypadkiem czegoś w RAMie nie zamazać, więc sama dioda to za mało.
Te pojedyncze uA są do pominięcia, samorozładowanie takiej baterii tyle
"takiej baterii" - czyli jakiej, bo chyba nie było mowy o typie baterii.
Quote:
wychodzi. A po co chcesz blokować zapis skoro wewnętrzny detektor
napięcia zasilania w MCU go zatrzyma? Podtrzymać trzeba tylko i
wyłącznie SRAM.
Jak sam RAM, skoro piszesz o wewnętrznym detektorze (cokolwiek by to
miało być)?
Generotory RC czy brown outy w procku wcale tak mało prądu nie biorą.
Zbych
Guest
Thu Sep 22, 2016 7:40 pm
W dniu 22.09.2016 o 08:45, Marek pisze:
Quote:
On Tue, 20 Sep 2016 20:51:04 +0200, Zbych <abuse@onet.pl> wrote:
I to jest dobry pomysł. Tylko trzeba wziąć pod uwagę, że
współczesne
pamięci flash są raczej mało trwałe.
Bo trzeba stosować markowe pamięci.
Na żarty ci się zebrało. Pamięci nand flash robi pewnie tyle fabryk co
palców na jednej ręce, a reszta tylko nakleja na nie swoje logo.
Do tego upycha się już po 3 bity w jednym tranzystorze, a jeśli wierzyć
pismakom to w procesie 15um, w pływającej bramce tranzystora pamięci
flash siedzi max około 15 elektronów.
Więc nic dziwnego że sektor pamięci TLC ma zagwarantowane tylko 1k
kasowań i nikt nawet nie podaje gwarantowanego czasu retencji danych.
In 15 nm, a planar NAND floating gate can only store about 15
electrons,
Irokez
Guest
Thu Sep 22, 2016 7:40 pm
W dniu 2016-09-22 o 10:11, Marek pisze:
Quote:
On Thu, 22 Sep 2016 09:28:06 +0200, slawek <fake@fakeemail.com> wrote:
Wiem co powiedziałem gdy w Nikonie padła karta BASF: "mamy zdjęcia
z
Olympusa".
A czy BASF jest jeszcze jakąś marką? Nie skończył podobnie Thompson,
Grundig czy Telefunken?
Robią chemię na ten przykład. Kupujemy lakier do malowania kataforetycznego.
--
Irokez
Zbych
Guest
Thu Sep 22, 2016 7:43 pm
W dniu 22.09.2016 o 21:40, Zbych pisze:
Quote:
W dniu 22.09.2016 o 08:45, Marek pisze:
On Tue, 20 Sep 2016 20:51:04 +0200, Zbych <abuse@onet.pl> wrote:
I to jest dobry pomysł. Tylko trzeba wziąć pod uwagę, że
współczesne
pamięci flash są raczej mało trwałe.
Bo trzeba stosować markowe pamięci.
Na żarty ci się zebrało. Pamięci nand flash robi pewnie tyle fabryk co
palców na jednej ręce, a reszta tylko nakleja na nie swoje logo.
Do tego upycha się już po 3 bity w jednym tranzystorze, a jeśli wierzyć
pismakom to w procesie 15um, w pływającej bramce tranzystora pamięci
Poprawka, chodzi oczywiście o 15nm.
AlexY
Guest
Thu Sep 22, 2016 7:45 pm
Zbych pisze:
Quote:
W dniu 20.09.2016 o 23:31, AlexY pisze:
[..]
Te pojedyncze uA są do pominięcia, samorozładowanie takiej baterii tyle
"takiej baterii" - czyli jakiej, bo chyba nie było mowy o typie baterii.
Takiej jak się używa do podtrzymania pamięci, typu zegarkowego na 3V.
Quote:
wychodzi. A po co chcesz blokować zapis skoro wewnętrzny detektor
napięcia zasilania w MCU go zatrzyma? Podtrzymać trzeba tylko i
wyłącznie SRAM.
Jak sam RAM, skoro piszesz o wewnętrznym detektorze (cokolwiek by to
miało być)?
Brownout detektor, mają go np atmegi, poniżej sam o nim wspominasz to co
strugasz wariata?
Quote:
Generotory RC czy brown outy w procku wcale tak mało prądu nie biorą.
Eeee...? A po co? Skoro procek i tak śpi to po co komu wiedza o poziomie
baterii? Jak się wybudzi to sobie zmierzy.
--
AlexY
http://faq.enter.net.pl/simple-polish.html
http://www.pg.gda.pl/~agatek/netq.html
Zbych
Guest
Thu Sep 22, 2016 7:49 pm
W dniu 22.09.2016 o 21:45, AlexY pisze:
Quote:
Zbych pisze:
W dniu 20.09.2016 o 23:31, AlexY pisze:
[..]
Te pojedyncze uA są do pominięcia, samorozładowanie takiej baterii tyle
"takiej baterii" - czyli jakiej, bo chyba nie było mowy o typie baterii.
Takiej jak się używa do podtrzymania pamięci, typu zegarkowego na 3V.
wychodzi. A po co chcesz blokować zapis skoro wewnętrzny detektor
napięcia zasilania w MCU go zatrzyma? Podtrzymać trzeba tylko i
wyłącznie SRAM.
Jak sam RAM, skoro piszesz o wewnętrznym detektorze (cokolwiek by to
miało być)?
Brownout detektor, mają go np atmegi, poniżej sam o nim wspominasz to co
strugasz wariata?
Generotory RC czy brown outy w procku wcale tak mało prądu nie biorą.
Eeee...? A po co? Skoro procek i tak śpi to po co komu wiedza o poziomie
baterii? Jak się wybudzi to sobie zmierzy.
Może po to żeby prawidłowo się zresetował jak ktoś wyjmie i włoży baterię?
Zbych
Guest
Thu Sep 22, 2016 8:01 pm
W dniu 22.09.2016 o 21:45, AlexY pisze:
Quote:
Zbych pisze:
W dniu 20.09.2016 o 23:31, AlexY pisze:
[..]
Te pojedyncze uA są do pominięcia, samorozładowanie takiej baterii tyle
"takiej baterii" - czyli jakiej, bo chyba nie było mowy o typie baterii.
Takiej jak się używa do podtrzymania pamięci, typu zegarkowego na 3V.
Takie baterie mają samorozładowanie na poziomie 1% rocznie, czyli prąd
samorozładowania jest dużo niższy niż pobiera uśpiona pamięć.
A do tego taka bateria nie zasili ci pamięci SD - jeśli mnie pamięć nie
myli to wymagany prąd dochodzi do 100mA przy zapisie/kasowaniu.
AlexY
Guest
Thu Sep 22, 2016 8:47 pm
Zbych pisze:
Quote:
W dniu 22.09.2016 o 21:45, AlexY pisze:
Zbych pisze:
W dniu 20.09.2016 o 23:31, AlexY pisze:
[..]
Te pojedyncze uA są do pominięcia, samorozładowanie takiej baterii tyle
"takiej baterii" - czyli jakiej, bo chyba nie było mowy o typie baterii.
Takiej jak się używa do podtrzymania pamięci, typu zegarkowego na 3V.
Takie baterie mają samorozładowanie na poziomie 1% rocznie, czyli prąd
samorozładowania jest dużo niższy niż pobiera uśpiona pamięć.
Yhy.. czyli te komputry przemysłowe o których wcześniej w wątku pisałem
nie mają prawa działać... ciekawe, ciekawe.
Największa pamięć SRAM jaką znalazłem na szybko R1WV6416RBG-5SI#B0
64Mbit wedle PDFa bierze 8uA w trybie standby.
Quote:
A do tego taka bateria nie zasili ci pamięci SD - jeśli mnie pamięć nie
myli to wymagany prąd dochodzi do 100mA przy zapisie/kasowaniu.
Karta SD nie wymaga potrzymania, bez sensu. Mam wrażenie że nie bardzo
wiesz o czym tu mowa. Przypomnę.
Mowa o zasilaniu buforowym dla samej pamięci SRAM w której trzymane są
dane przed zapisem na SD. Owo zasilanie buforowe ma być na wypadek
padnięcia zasilania głównego coby danych z mozołem przez miesiące całe
zbieranych nie stracić.
--
AlexY
http://faq.enter.net.pl/simple-polish.html
http://www.pg.gda.pl/~agatek/netq.html
Marek
Guest
Thu Sep 22, 2016 9:43 pm
On Thu, 22 Sep 2016 21:40:19 +0200, Zbych <abuse@onet.pl> wrote:
Quote:
Na żarty ci się zebrało. Pamięci nand flash robi pewnie tyle fabryk
co
palców na jednej ręce, a reszta tylko nakleja na nie swoje logo.
Do tego upycha się już po 3 bity w jednym tranzystorze, a jeśli
wierzyć
pismakom to w procesie 15um, w pływającej bramce tranzystora
pamięci
flash siedzi max około 15 elektronów.
Więc nic dziwnego że sektor pamięci TLC ma zagwarantowane tylko 1k
kasowań i nikt nawet nie podaje gwarantowanego czasu retencji
danych.
Znam pamięci co mają gwarantowane 100k kasowań i 20 lat rentencji,
więc nie wiem po co taki kiepski przykład podajesz.
--
Marek
Marek
Guest
Thu Sep 22, 2016 9:54 pm
On Thu, 22 Sep 2016 21:40:19 +0200, Zbych <abuse@onet.pl> wrote:
Quote:
Na żarty ci się zebrało. Pamięci nand flash robi pewnie tyle fabryk
co
palców na jednej ręce,
To jest mit powtarzany od 10 lat. Tak samo jak Maximowi kiedyś
wydawało się, że jest jedynym producentem ft232. Powszechność
technologi jest już,taka, że byle chińska firemka robi własne układy
prawie w warunkach warsztatowych. O kopiowaniu z kopii nie wspinając.
Stąd pełno na rynku kiepskich i tanich pamięci.
--
Marek
Goto page Previous 1, 2, 3, 4, 5, 6 Next