Zrozumienie działania MOSFET BC170 w układzie Millenium Bypass 2 z diodą 1N4148

Fri Jun 02, 2006 12:48 am   

Na podstawie instrukcji
http://www.geofex.com/Article_Folders/Millenium/millen.htm
zrobilem plytke Millenium Bypass 2.
Nie wnikajac zbytnio w szczegoly chodzi o to ze autor zarzeka sie w tym
projekcie a ludzie na forach amerykanckich to potwierdzaja ze zalaczenie
MOSFETA BC170 nastepuje wskutek podania na gate'a pradu wstecznego diody
1N4148 czyli rzedu nanoamperow przy gate'cie podlaczonym do masy przez
opornik 47k. Zrobilem ten uklad - jest mi bardzo potrzebny bo przed
sejsa mam oddac swoj efekt gitarowy a to jego wazny element.

Moje pytanie jest takie - czy taki prad bramki wystarczy do zalaczenia
ukladu - zawsze uczono mnie ze mosfet sterowany jest napieciem Vgs a tu
wynosi ono jakies mikrovolty - bo mi nie wystarcza i nie dziala a gdzie
bym nie wpisal w googlu Millenium Bypass traktuja to jako oczywistosc.

Nie pojmuje dzialania tego ukladu do konca wiec bede bardzo wdzieczny
kiedy mnie ktos oswieci.

Fri Jun 02, 2006 12:50 am   

ucho napisał(a):

Fri Jun 02, 2006 4:48 am   

"ucho" <uchoucho@o2.pl> wrote in message news:447f8aef$1@news.home.net.pl...

Ja też nie pojmuję za bardzo w czym tkwi problem...
Nie można tego uprościć tak:
http://voila.pl/mq8gl/index.php?get=1&f=1

Jeśli dioda ma być tylko wskaźnikiem to dlaczego musi
być sterowana z wnętrza układu efektu gitarowego
a nie prosto z przełącznika, który i tak musi mieć dwa
osobne ale sprzężone ze sobą styki. Zamiast przełączać
przełącznikiem wejście i wyjście efektu podłącz wejście
efektu na stałe i przełączaj tylko wyjście... drugi styk
użyj do zasilania wskaźnika prosto ze źródła zasilania.

I kilka uwag na temat sterowania tranzystorem MOSFET.
Po pierwsze - jeśli mowa jest o sterowaniu prądem stałym,
(czyli również z przełacznika ręcznego który pozostaje
stabilny przez rozsądny czas) to nie ma sensu mówić
o prądzie bramki załączającym tranzystor... Jest to bowiem
element sterowany napięciowo a bramka może być traktowana
wprost jako kondensator o pojemności rzędu dziesiątek pF.
Dla BS170 konkretnie ta pojemność zastępcza bramki to 60pF.
Co to oznacza ? Ano to, że w stanie ustalonym (po około 10-20ns)
prąd bramki nie płynie praktycznie wcale (setne części nanoampera).

Treść artykułu wskazuje że autor nie bardzo orientuje się
w elektronice - np. nie orientuje się, że jeśli opornik 22MOhm
jest trudny do zdobycia to można go zastąpić dwoma opornikami
10MOhm połączonymi szeregowo i nie ma problemu :-)

No ale pytanie brzmi czy to w ogóle jest potrzebne...
Co myślisz o układzie zaproponowanym przeze mnie ?
Jeśli ma on jakieś wady to mozemy nad nim popracować wspólnie... ;-)

W między czasie obejrzyj sobie notę katalogową tranzystora BS170:
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/BS170-D.PDF
Zwróć uwagę na parametr "Gate Threshold Voltage".
Nikt nie mówi o prądzie progowym bramki, bo nie ma to sensu.
Prąd bramki tranzystora MOSFET ma znaczenie przy tranzystorach
dużej mocy (które mają fizycznie duże rozmiary struktury krzemowej
i w związku z tym większą pojemność zastępczą bramki) przy
dużej częstości przełaczania: trzeba im wtedy zapewnić bardzo
duze prądy impulsowe bramki służące do przeładowywania tejże
pojemności bramki aby przechodzić sprawnie przez NAPIĘCIE
progowe w którym tranzystor się załącza i rozłącza...

Fri Jun 02, 2006 6:17 am   

Użytkownik "Pszemol" <Pszemol@PolBox.com> napisał w wiadomości
news:e5nubh.22g.1@poczta.onet.pl...

Myślę, że chodzi o to, że w trybie bypass dołączone wejście efektu wskutek
częstotliwościowej charakterystyki impedancji wejściowej może powodować
zniekształcenia - tak zresztą pisze autor artykułu. Układ przez niego
zaproponowany jest wg mnie OK. Dąży on do minimalizacji ilości elementów
stąd te diody z niskim i wysokim prądem upływu. Swoją drogą wysoki prąd
upływu mają diody Schottky'ego i taką bym zastosował jako górną, a "zwykłą"
jako dolną. W stanie załączenia efektu dioda górna polaryzyje MOSFETa tak,
że przewodzi, a w momencie przejścia na obejście (bypass) dołączany jest
opornik, który przejmuje prąd upływności i rozładowywuje bramkę - tranzystor
przestaje przewodzić. Można by pokusić się o wyrzucenie tych diod (dolnej
lub nawet obu, gdyż MOSFETy mają tendencje do samozałączania się), ale
chronią one jednocześnie tranzystor przed ewentualnymi przepięciami.

Fri Jun 02, 2006 7:35 am   

On Fri, 02 Jun 2006 02:48:53 +0200, ucho wrote:

Na ile zrozumialem to jest to wskaznik zalaczenia tego efektu.
I owszem - jak jest wYlaczony, to bramke podlaczamy do tych 47k
i nie swieci, ale jak efekt wlaczymy, to wyjscie ODlaczamy od bramki,
i wtedy te nA, czy pA wystarczaja do wysterowania jej do paru V.

J.

Fri Jun 02, 2006 10:05 am   

Pszemol napisał(a):


Jasne, ze mozna myslalem juz nad tym i faktycznie to powinno dzialac
podobnie ale problem jest innego rodzaju. Moglem dawno zrezygnowac z
tego Millenium ale potrzebowalem jakiegos dodatkowego ukladu poniewaz
moj efekt jest bardzo prosty i nie mam co pisac o nim w sprawozdaniu a
tak przynajmniej jakies prady uplywu, dioda niskouplywna zrobiona z
tranzystora npn przyznam ze chodzilo mi o urozmaicenie projektu:)


Zdaje sie ze chodzi wlasnie o te "klikniecia" podczas przelaczania ktore
na estradowym sprzecie wywoluja niepotrzebne trzaski itd...


Jasna sprawa ze sterowany napieciowo a co wiecej zalacza sie dokladnie
przy 2.8 V na bramke czyli jak producent przykazal w nocie kat:) stad to
moje zdziwienie i frustracja.


Ale na wielu forach autor naprawde robi za guru od elektroniki i jego
opinie jak wyciag z Pisma cytowane sa w nieskonczonosc - co to za kraj
ten USA?:)



Zastosuje go z pewnoscia ale jeszcze ludze sie ze ten moj zadziala.


Wierz mi ze juz nie raz sprawdzalem - mam nawet taka wydrukowana:)
Serdeczne dzieki za pomoc dodam tylko od siebie ze po zmontowaniu ukladu
faktycznie dzialal z wejsciem nie podlaczonym do niczego potem zdaje
sie przypadkiem zwarlem wejscie z 9v zasilaniem od tego czasu nie dziala
juz na "powietrzu" a jedynie po spolaryzow. bramki napieciem 2.8V co
wprawia mnie w lekka frustracje - moglem cos spalic_...

Fri Jun 02, 2006 10:31 am   

Cos tak sie nad tym zastanawiam i wydaje mi sie ze podczas pierwszego
zalaczenia dioda faktycznie palila sie z niepodlaczonym wejsciem ukladu
a teraz nie ma juz ochoty i wydaje mi sie tez ze moglem cos tam spalic a
jedyna rzecz jaka przychodzi mi do glowy to MOSFET chociaz jego
maksymalne napiecie to kilkadziesiat wolt. Nie wiem juz o co chodzi z
symulacji w spice;ie wyszlo mi ze powinien dzialac z wejsciem nie
podlaczonym a tu nic...

Fri Jun 02, 2006 11:25 am   

Hello ucho,

Friday, June 2, 2006, 2:48:53 AM, you wrote:


Odwrotnie - przy podłączeniu rezystancji wyjściowej efektu dioda
gaśnie. Ważnym elementem układu jest poprawne - jak na podanym
schemacie - połączenie przełącznika bypass.

Przy włączonym efekcie bramka MOSFETa wisi w powietrzu, zasilana
jedynie prądem wstecznym diody. I to wystarczy.

[...]

--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl

Fri Jun 02, 2006 11:31 am   

powoduje zapalenia diody niestety - przynajmniej w moim przypadku

Fri Jun 02, 2006 11:39 am   

Pszemol napisał(a):

Mylalem nad tym i wydaje mi sie ze wiem juz o co chodzi. Choc
rozwiazanie zaproponowane przez Ciebie jest sprytne to rzecz w tym ze
sygnal wejsciowy idac rownoczesnie na wejscie efektu i na output w
przypadku obejscia (bypass) nie omija wcale samego efektu i nie idzie
wylacznie na wyjscie. Czesc sygnalu wchodzi do efektu co powoduje
tlumienie wysokich czestotliwosci i mimo ze na wyjsciu powinien pojawic
sie sygnal identyczny do wejsciowego tak sie nie dzieje. Dlatego
tez cala ta idea true -bypass z dioda na ukladzie zeby zapewnic czysty
mechaniczny bypass czyli bezposrednie polaczenie we z wy na przelaczniku
bez zadnych rozgalezien. Czyli problem dalej istnieje...

Fri Jun 02, 2006 11:58 am   

Hello ucho,

Friday, June 2, 2006, 12:05:42 PM, you wrote:


Nie będzie działać podobnie - to nie jest baypass tylko przełącznik
wyjściowy. Wejście jest stale podłączone do efektu i obciążone jego
impedancją wejściową.

[...]


Układ jest poprawny i musi działać po prawidłowym zmontowaniu.

[...]

--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl

Fri Jun 02, 2006 11:59 am   

Hello ucho,

Friday, June 2, 2006, 12:31:22 PM, you wrote:


Mam nadzieję, ze w środowisku antystatycznym i z uziemioną opaską na
ręce MOSFETami małej mocy się bawisz...

--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl

Fri Jun 02, 2006 12:04 pm   

"ucho" <uchoucho@o2.pl> wrote in message news:44802182$1@news.home.net.pl...

Heh, masz za dobrą diodę (super mały prąd upływu) albo za kiepski
tranzystor - pogorszona oporność bramki ;-)

Serio - to mogą być upływności montażowe układu (płytki). Daj zamiast diody
opornik 10 Megaohm, albo diodę germanową.

Roman

Fri Jun 02, 2006 12:09 pm   

Hello Roman,

Friday, June 2, 2006, 2:04:11 PM, you wrote:


To straci to, co chciał zyskać - brak trzasków przy przełączaniu.
Problem polega na zastosowaniu dwóch diod o znacząco różnym prądzie
upływu. Pomiędzy + zasilania a bramką dioda o większym upływie niż
pomiędzy bramka a masą.

--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl

Fri Jun 02, 2006 12:24 pm   

"RoMan Mandziejewicz" <roman@pik-net.pl> wrote in message
news:76601419.20060602140909@pik-net.pl...

Na tej stronie http://www.geofex.com/Article_Folders/Millenium/millen.htm
był układ alternatywny z opornikiem 10M i tranzystorem superbeta....

Inna motyw dla kolegi "ucha" to uwalony już BS170 - sam skwasiłem parę
takich sztuk mimo sporej ostrożności elektrostatycznej..

Roman