Jak właściwie sterować MOSFET-em z MCU bez zakłóceń? Wykorzystanie pary BD135/140

Mon Sep 21, 2015 11:26 pm   

Jest pewien wątek na elektrodzie:
http://www.elektroda.pl/rtvforum/topic2487918.html

W jednej z odpowiedzi ktoś proponuje takie wysterowanie mosfeta z mcu
aby "przez pojemność bramka-źródło nie przedostały się szpilki do
procesora powodując jego zakłócanie":

http://obrazki.elektroda.pl/2353371400_1359800222.png

Czy ta para BD135/140 jest konieczna? Nie wystarczyłoby podłączenie
rezystora bramki do kolektora Q5?

--
Marek

Tue Sep 22, 2015 7:21 am   

Użytkownik "Marek" <fake@fakeemail.com> napisał w wiadomości
news:almarsoft.2774833997586647428@news.neostrada.pl...

MOSFET nie spalił się w czasie przełączania.
P.G.

Tue Sep 22, 2015 7:29 am   

Hello Piotr,

Tuesday, September 22, 2015, 9:21:47 AM, you wrote:



Ale BD139/140 to zdecydowana przesada, szczególnie przy rezystorze
bramkowym 47

Tue Sep 22, 2015 7:42 am   

W dniu 2015-09-22 o 01:26, Marek pisze:

Te BD w porównaniu do wartości R1 to pewna przesada no chyba, że V1 jest
sporo większe od 12V.
Jeśli byś chciał włączyć te 160A za pomocą rezystora 1k (R3) to by to
trochę chyba trwało i miał byś duże straty na przełączaniu.
Q5 jest zaś za słaby by wyłączyć Q1, musiał byś zwiększyć R1 co by
spowodowało dalsze opóźnienia zarówno włączania jak i wyłączania.
Myślę, że przy szybkim przełączaniu mógłbyś ugotować Q1.

Przy takich prądach to już chyba rozsądnie jest zastosować scalone
sterowniki bramki, mniej rzeźby a przy okazji ktoś to już przemyślał i
powinno działać dobrze lepiej.


--
AWa.

Tue Sep 22, 2015 9:13 am   

W dniu 2015-09-22 o 01:26, Marek pisze:

Wtedy ładowałbyś pojemność bramki (4.5nF) przez opornik 1k, a to zajmie
kilka mikrosekund. Przez ten czas przez tranzystor płynie już duży prąd,
a napięcie na nim jest jeszcze spore. Skutkuje to wydzielaniem dużej
mocy. Wniosek: tranzystor trzeba przełączać jak najszybciej, a więc
przeładowywać bramkę dużym prądem.
Moim skromnym zdaniem nie ma sensu bawić się w układy tranzystorowe, są
do tego scalone drivery. Niedrogie, dostępne w sklepie za rogiem,
wygodne w użyciu i niezawodne.

P.P.

Tue Sep 22, 2015 10:06 am   

On Tue, 22 Sep 2015 11:13:46 +0200, Paweł Pawłowicz
<paw-p@wnoz.up.wroc[kropka]pl> wrote:

Momencik bo się zgubiłem, przez który płynie duży prąd, Q1?



Mogę prosić o jakiś przykład? Czemu takich układów nie ma już
wbudowanych w mosfeta?

--
Marek

Tue Sep 22, 2015 10:17 am   

W dniu 2015-09-22 o 12:06, Marek pisze:

Oczywiście.


W sklepie za rogiem są IR2101.

P.P.

Tue Sep 22, 2015 10:24 am   

On Tue, 22 Sep 2015 03:14:51 -0700 (PDT), leming.show@gmail.com wrote:

I gdzie to niby w PL sprzedają (miało być za rogiem . Nawet w
digikey nie chcą podać ceny.

--
Marek

Tue Sep 22, 2015 10:40 am   

Paweł Pawłowicz wrote:


Do tego miewają UVLO i wbudowane stabilizatory napięcia.

Pozdrawiam, Piotr

Tue Sep 22, 2015 10:43 am   

leming.show@gmail.com wrote:


Trochę zdumiewająca konstrukcja: gdyby zamiast NPN dali
jeden PNP, to im odpada ta dioda w emiterze, czyli znów
ułamek centa oszczędności. A tego kondensatorowego
"dopalacza" przy bazie to już w ogóle nie rozumiem,
widać jakiś bogaty Chińczyk się trafił. :-)

Pozdrawiam, Piotr

Tue Sep 22, 2015 10:44 am   

W dniu 2015-09-22 o 11:48, leming.show@gmail.com pisze:


Transil w mosfecie?

Pozdrawiam

DD

Tue Sep 22, 2015 10:58 am   

Użytkownik "Piotr Wyderski" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:mtrbcs$l7u$1@node1.news.atman.pl...
leming.show@gmail.com wrote:

nie ma lekko - zobacz ze to przy okazji wzmacniacz napieciowy. Z
napiecia "logicznego" robi sie 12V.
Musieliby dodatkowy tranzystor dawac, widac dioda tansza :-)

Ale wydajnosc tego ukladu IMO nie jest zbyt duza - tzn owszem, na
poczatku moze poplynac 10mA w baze, razy beta tranzystora - bedzie
ponad amper,
ale w miare wzrostu napiecia prad bazy spada.


A nie, to stary pomysl. Bipolarne maja podobne problemy - pojemnosc
bazy i efekt Millera.
A tu ampery nie pomoga, bo plynelyby caly czas.

Wiec jak najbardziej poprawne - 1.2k zapewnia rozsadny prad bazy w
stanie ustalonym, a 470p krotki czas przelaczania.

J.

Tue Sep 22, 2015 11:03 am   

Hello leming,

Tuesday, September 22, 2015, 11:48:23 AM, you wrote:


W MOSFETach nie ma wbudowanego transila. MOSFETy przy obciążeniach
indukcyjnych zazwyczaj palą się na zbyt dużej mocy pochłoniętej na
przebiciu lawinowym. Niby powtarzalne a w rzeczywistości prowadzi do
degeneracji struktury.

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

Tue Sep 22, 2015 11:07 am   

J.F. wrote:


A masz rację, nawet jest napisane 12V. :-)


Ja go rozumiem o strony technicznej, ale pytałem o ekonomię.
Wydać cent na kondensator, a go nie wydać to dwa centy różnicy. :-)

Pozdrawiam, Piotr

Tue Sep 22, 2015 11:34 am   

W dniu 2015-09-22 o 13:16, leming.show@gmail.com pisze:

Ta dioda wychodzi niejako "przy okazji" - wpisana jest w technologię.
Nie zrobisz mosfeta bez niej. Można powiedzie"pasożytnicza, ale że
zwykle "nie szkodzi" i w wielu przypadkach jest pożyteczna, no to tak
się o niej nie mówi. Niestety są sytuacje gdzie przeszkadza, np przy
użyciu mosfetów jako kluczy przełączających zasilanie - wtedy trzeba po
dwa dawać zamiast jednego bo ta dioda przewodzi.

Pozdrawiam

DD