MOSFET P do odłączania obwodu przy 2-3A i 3-4,2V - które modele wybrać?

Mon Jun 11, 2007 3:47 pm   

Witam

Potrzebuję w urzadzeniu zasilanyym z ogniwa LI-ON odłączać zasilanie jednego
z obwodów za pomocą sygnału z procesora. Prąd jest rzedu 2-3A , napiecie 3
do 4,2V .
Najprosciej chyba zrobic to za pomoca MOSFET-a P .
Moze ktos wie jaki typ zastosowac aby był w stanie załaczyć taki prąd przy
niskim napieciu i przy tym był łatwo dostepny (najlepiej w obudowie SMD).

Pozdrawiam
ADAM

Mon Jun 11, 2007 4:30 pm   

ADAM napisał(a):

stabilizator liniowy - wybierz taki z opcją shutdown.

Jeżeli Taki mosfet miałby być przed przetwornicą może ona nie startować
ze wzgledu na jego rezystancje.

Adam

Mon Jun 11, 2007 5:09 pm   

Użytkownik "Górski Adam"
<gorskia@.................wp....................pl..................>
napisał w wiadomości news:f4jprs$94i$1@atlantis.news.tpi.pl...

Przetwornica bedzie typu step-up (na MAX1709) i przez nia cały ten problem
bo mimo ze ma odpowednie wejscie to całkowicie nie moze wyłaczyć napiecia
wyjsciowego. W trybie uspienia na wyjsciu i tak będzie napiecie zasilania
pomiejszone o spadek na diodzie. Chyba wszystkie przetwornice tego typu
tak maja bo to wynika z ich zasady działania.

Mon Jun 11, 2007 5:37 pm   

Hello ADAM,

Monday, June 11, 2007, 4:47:30 PM, you wrote:


Szukaj pMOSFETa serii Si4xxxDY - obudowa SO-8, wysokie prądy, rozsądne
napięcia bramek.

--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl

Mon Jun 11, 2007 5:39 pm   

Hello ADAM,

Monday, June 11, 2007, 6:09:40 PM, you wrote:

[...]


Step-up łatwo przerobić na SEPIC i już tego problemu nie ma. Ale nie
warto - małe i mocne MOSFETy sa dostepne.

--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl

Mon Jun 11, 2007 5:41 pm   

Użytkownik "ADAM" <simpol@wp.pl> napisał w wiadomości
news:f4jnic$cuu$1@nemesis.news.tpi.pl...


Zobacz TSM2301. Może Ci się nada
Daj bipolarny
Przy tak niskich napięciach bramki MOSFETy działają źle.

Mon Jun 11, 2007 7:16 pm   

A ile taki MOSFET jest w stanie oddać ciepła w Watach? Chcę go wykorzystać
do sterowania migaczami (po jednym na strone), syreną i jednym siłownikiem
do bagażnika. W instrukcji do alarmu fabrycznego obciążenie na wyjściu na
migacze to max 6A. W googlach wyszukałem, że obudowa TO220 może oddać bez
radiatora 1-1,5W, o SO8 i innych obudowach nic nie znalazłem niestety.

Przykładowy SI4401DY-E3 posiada Rds=0,013 i Ids=10,5A. Wychodzi mi że przy
6A odda 0,48W. Nie za dużo na taką małą kosteczkę w małym pudełku bez
wentylacji? Zwykle do tego w alarmach wykorzystują przekaźniki. Przyglądałem
się też
IRF4905S w obudowie TO263 z Rds=0,02 i Ids=74A (Armata). Ale to chyba za
mocny MOSFET.

Pozdrawima

Mon Jun 11, 2007 7:17 pm   

Ja używam w tym celu IRLM6402. Zasilanie mam z dwóch paluszków NiMH,
czyli minimalnie nawet 2V. Jest to ewidentnie mniej, niż wymagane
napięcie bramki. Ponieważ za tranzystorem jest przetwornica do 5V,
wykorzystuję ją do wygenerowania napięcia ujemnego -5V i z niego
korzystam (drugi tranzystor, tym razem BC857) żeby dać odpowiednie
napięcie na bramkę.

Działa ślicznie, z tym że u mnie są znacznie niższe prądy.

Pozdrowienia,
MKi

Mon Jun 11, 2007 7:34 pm   

Głodny jestem, czy co? Miało być IRLML6402, oczywiście!

Pozdrowienia,
MKi

Mon Jun 11, 2007 8:27 pm   

Znalazłem chyba cos odpowiedniego - Si9434BDY . Był w starej komórce
Motorola CD920. Sa tam jeszcze 2 szt Si9424BDY. Do prób mi wystarczy ale
docelowo może byc potrzebne wiecej, moze ktos wie kto to sprzedaje ?

Mon Jun 11, 2007 9:26 pm   

Użytkownik "Piotr Machowski" <brak@wp.pl> napisał w wiadomości
news:f4k3iv$g7e$1@atlantis.news.tpi.pl...

2W. Poczytaj w dokumentacji w jakich warunkach - chodzi o dużą powierzchnię
grubej miedzi wokół obudowy. Bez ekstra powierzchni przy temperaturze
pokojowej można w nich stracić 1W.
Założenie jest takie, że tranzystor parzy, struktura ma maksimum, a
temperatura otoczenia jest "pokojowa" 25 st.C. Nie precyzuje się tu czasu
występowania maksymalnej mocy ani żywotności.
W aucie latem takiego komfortu nie ma.

Mon Jun 11, 2007 9:52 pm   

No właśnie o te zmienne warunki mi chodzi. W obudowie miejsca za wiele nie
ma, ale zmieścił by się np taki radiator:
http://tinyurl.com/38bdlq

Biorąc pod uwagę, że raczej nie bedzie pracował nonstop, to może nic mu nie
bedzie.

Pozdrawiam

Mon Jun 11, 2007 10:04 pm   

Użytkownik "Piotr Machowski" <brak@wp.pl> napisał w wiadomości
news:f4kcok$nk7$1@atlantis.news.tpi.pl...

Jak nie sprawdzisz empirycznie, to się nie dowiesz. Nic nie wiemy o czasie
działania. Minutę zapewne przeżyje, ale ile dłużej ?
Przed użyciem przeanalizuj konsekwencje uszkodzenia - zwarcie.
Osobiście ja miałbym obawy czy pospolity , "w dobrej cenie" laminat z
miedzią 18 czy 35 mikronów nadaje się na 6A. Zrobisz ścieżki szerokości
centymetra czy 20 mils ? Będziesz łączył SO8 drutem 1,5mm2 czy cieniutkie
ścieżki polakierujesz plastikiem70?

Mon Jun 11, 2007 10:12 pm   

Użytkownik "Piotr Machowski" <brak@wp.pl> napisał w wiadomości
news:f4kcok$nk7$1@atlantis.news.tpi.pl...

Te ogromne 5 deko miedzi wyrwie ci scalak ze ścieżkami na pierwszej dziurze
w jezdni, chyba, że wszystko zalejesz zalewą elastyczną. Po co wtenczas
żeberka, daj blok miedzi czy aluminium 50g z płaskownika

Mon Jun 11, 2007 10:33 pm   

No właśnie empirycznie nie bardzo mogę Pojutrze muszę wysłać wzór do
płytkarni. Taki projekt na szybko i pod presją :/ Laminat 70um, ścieżki
150mils, bo wejścia robię na gnieździe:
http://tinyurl.com/2pfbef

A tam nie da się zrobić większego pola lutowniczego. Do każdego tranzystorka
będą dwie nóżki. Jedna zasilająca (S), a druga to będzie wyjście z Drenu
tranzystora. Zaraz ide do samochodu "pomacać" jak się grzeje IRF5305 w
obudowie TO220 i przy okazji sprawdzić jaki prąd tam na prawdę płynie. Ten
tranzystorek ma większy Rds i jednocześnie lepsze odprowadzanie ciepła, więc
jakiś zamiennik to będzie od biedy do testów. Jest sens montowanie radiatora
do plastikowej powierzchni obudowy TO263? No chyba, że odwrócę TO220
radiatorem do góry i do niego przymocuje płaski radiator. Od płytki do
obudowy mam niestety max 1,4cm, to na stojąco To220 sie nie zmieści. Problem
w tym, że nie mógłbym wówczas użyć wspólnego dużego radiatora na wszystkie
tranzystory.

Pozdrawiam