Zwiększenie trwałości zapisu w EEPROM AVR przez zapis stanów w jednym bajcie?

do danych w niekturych sytuacjach. Średnio 16 razy i maksymalnie

A niby dlaczego napisałem o "niektórych sytuacjach"? Te niektóre,
to na pewno restart. Ale inne, mniej oczywiste, też mogą się trafić.
A tak w ogóle, to problem czasu odczytu nie powinien być dokuczliwy.

Nie, Ty pisałeś o niekturych sytuacjach ...

Robię projekt w którym pamięć EEPROM będzie narażona na częste
przepisywanie.
Ogólnie trwałość jest określona jako 10.000 - to niedużo jak na moje
zastosowanie.

W praktyce rozwiązuje się to w ten sposób, że w komórkach tablicy
przeznaczonej do tego zapisu, jeden bit przeznacza się na wskaźnik
ważności danych. Komórka "dobra" to ta, która ma ten bit taki sam
jak w komórce pierwszej (zerowej) i jednocześnie najwyższy indeks
w tablicy. Rezerwując na przykład tablicę o rozmiarze 32, otrzymamy
32-krotny wzrost żywotności ustrojstwa. Kosztem wydłużenia dostępu
do danych w niekturych sytuacjach. Średnio 16 razy i maksymalnie
32 razy.

Ale uwzględniając to, że problem można rozwiązać tak, że w EEPROMie
tworzona jest tylko "kopia zapasowa" jakiś danych, to właściwą daną
trzymamy w RAMie i nie musimy nic z EEPROMa odczytywać!! Liczymy sobie
adres, inkrementujemy po każdym zapisie, a zapisujemy po jednym bajcie
... i tyle ... po restarcie faktycznie trzeba sięgnąć do EEPROMa,
ale skoro tylko po restarcie, to chyba nieco wydłużony czas nie gra roli
...

Ceny są całkiem przystępne. Pamięć FRAM 4kb 3V w obudowie SO8 kosztuje
około 3zł. Ilość zapisów praktycznie nieograniczona, zawartość nie znika
po wyłączeniu zasilania:
http://www.tme.eu/pl/katalog/pamieci-fram_100424/?id_producer=125
Pisal, ze nie ma miejsca na zapasowe zasilanie, to pewnie nie ma

Troche powatpiewam. Zuzywa sie chyba tez w czasie kasowania.

W starej technice UV EPROM moglbys cos pokombinowac zeby do komorki
skasowanej [FF] wpisac jedno zero [FE], nastepnie bez kasowania
zaprogramowac kolejne zero [FD] - odczytaja sie juz dwa [FC].
I dopiero za 8-mym razem skasowac calosc.

Ale przeciez w AVR nie masz dostepu na takim poziomie..

Ten myk dziala w AVR rowniez. Kolejne zerowania bitow bez kasowania w
miedzyczasie komorki traktowane sa jako jeden zapis.

Ceny są całkiem przystępne. Pamięć FRAM 4kb 3V w obudowie SO8 kosztuje
około 3zł. Ilość zapisów praktycznie nieograniczona, zawartość nie znika
po wyłączeniu zasilania:
http://www.tme.eu/pl/katalog/pamieci-fram_100424/?id_producer=125
Pisal, ze nie ma miejsca na zapasowe zasilanie, to pewnie nie ma
na ekstra kosci.

W praktyce rozwiązuje się to w ten sposób, że w komórkach tablicy
przeznaczonej do tego zapisu, jeden bit przeznacza się na wskaźnik
ważności danych. Komórka "dobra" to ta, która ma ten bit taki sam
jak w komórce pierwszej (zerowej) i jednocześnie najwyższy indeks
w tablicy. Rezerwując na przykład tablicę o rozmiarze 32, otrzymamy
32-krotny wzrost żywotności ustrojstwa. Kosztem wydłużenia dostępu
do danych w niekturych sytuacjach. Średnio 16 razy i maksymalnie
32 razy.

Mozesz miec problem ze weryfikacja przechodzi poprawnie,
a pozniejszy odczyt przy innym napieciu, temperaturze itp
juz nie.

To ja tak powiem o jednym problemie... kiedyś pisali w notach katalogowych
o pewnym problemie, który występował przy zapisie do EEPROMu... otóż
zdarzało się, że w jeśli w czasie zapisu był problemy z zasilaniem, to
uszkadzana była zawartość komórki o adresie 0... sprawdź, czy dalej coś
takiego piszą, jeśli tak - to unikaj jak ognia tej komórki ...

Troche powatpiewam. Zuzywa sie chyba tez w czasie kasowania.

W starej technice UV EPROM moglbys cos pokombinowac zeby do komorki
skasowanej [FF] wpisac jedno zero [FE], nastepnie bez kasowania
zaprogramowac kolejne zero [FD] - odczytaja sie juz dwa [FC].
I dopiero za 8-mym razem skasowac calosc.

Ale przeciez w AVR nie masz dostepu na takim poziomie..
Ten myk dziala w AVR rowniez. Kolejne zerowania bitow bez kasowania w
miedzyczasie komorki traktowane sa jako jeden zapis.

Ciekawe spostrzeżenie, możesz coś rozwinąć temat, podać źródło informacji?

Zrodlem jest Atmel. Jest to chyba w ktorejs nocie, a jesli nie to
znajdziesz odpowiedni post na avrfreaks z cytatem z odpowiedzi Atmela.
Zreszta wynika to po prostu z zasady dzialania EEPROM. Programowane sa
tylacznie komorki, ktore zmieniaja zawartosc na 0, do pozostalych ine jest
przykladane HV, wiec nic zlego im sie nie dzieje.

W praktyce rozwiązuje się to w ten sposób, że w komórkach tablicy
przeznaczonej do tego zapisu, jeden bit przeznacza się na wskaźnik
ważności danych. Komórka "dobra" to ta, która ma ten bit taki sam
jak w komórce pierwszej (zerowej) i jednocześnie najwyższy indeks
w tablicy. Rezerwując na przykład tablicę o rozmiarze 32, otrzymamy
32-krotny wzrost żywotności ustrojstwa. Kosztem wydłużenia dostępu
do danych w niekturych sytuacjach. Średnio 16 razy i maksymalnie
32 razy.


Tutaj pojawi się podobny problem

EM pisze:
W praktyce rozwiązuje się to w ten sposób, że w komórkach tablicy
przeznaczonej do tego zapisu, jeden bit przeznacza się na wskaźnik
ważności danych. Komórka "dobra" to ta, która ma ten bit taki sam
jak w komórce pierwszej (zerowej) i jednocześnie najwyższy indeks
w tablicy. Rezerwując na przykład tablicę o rozmiarze 32, otrzymamy
32-krotny wzrost żywotności ustrojstwa. Kosztem wydłużenia dostępu
do danych w niekturych sytuacjach. Średnio 16 razy i maksymalnie
32 razy.


Tutaj pojawi się podobny problem

No właśnie się nie pojawi .. ten algorytm nie polega na tym, że
używamy komórki "aż do śmierci", tylko to jest taki wear-leveling ...
Zapisujesz tę samą daną (tzn. po każdej jej zmianie ) za każdym razem
w następnej komórce... Gdy dojedziesz do końca, to zaczynasz kolejną
kolejkę i też jedziesz od początku pamięci... Ponieważ z reguły w
pamięci będziesz mieć część danych z poprzedniej kolejki, a część z
aktualnej - trzeba je jakoś rozróżnić i do tego służy ten bit ...
autor źle użył sformułowania "dobra komórka"... chodziło mu raczej o
"aktualną wartość" ... W tym wypadku uszkodzenie pamięci
(którejkolwiek komórki) dyskwalifikuje całą pamięć!! Ale to nie problem,
bo jeśli wszystkie komórki mają zbliżoną żywotność, to gdy padnie jedna
- padną kolejne... . Ale i tak, dla pamięci np. 256 bajtów odpornych na
100 000 cykli zapisu, dostajesz 25 500 000 cykli zapisu dla danych
7-bitowych ... Poprawa znaczna ... Zauważ też, że pierwsza komórka
(ta rozróżniająca czy kolejka jest parzysta czy nie) zużywa się tak samo
szybko, jak pozostałe ...

Pozdrawiam
Konop

Zrodlem jest Atmel. Jest to chyba w ktorejs nocie, a jesli nie to
znajdziesz odpowiedni post na avrfreaks z cytatem z odpowiedzi Atmela.
Zreszta wynika to po prostu z zasady dzialania EEPROM. Programowane sa
tylacznie komorki, ktore zmieniaja zawartosc na 0, do pozostalych ine jest
przykladane HV, wiec nic zlego im sie nie dzieje.

Dzieki, czyli rozumiem, ze dobrym wyjscie powinno byc uzycie sekwencji
bitowych kolejnych zapisów typu:
11111110
11111100
11111000
itd

To ja tak powiem o jednym problemie... kiedyś pisali w notach
katalogowych o pewnym problemie, który występował przy zapisie do
EEPROMu... otóż zdarzało się, że w jeśli w czasie zapisu był problemy z
zasilaniem, to uszkadzana była zawartość komórki o adresie 0... sprawdź,
czy dalej coś takiego piszą, jeśli tak - to unikaj jak ognia tej komórki
...