Leszek
Guest
Sun Dec 12, 2004 11:25 pm
Mam takie pytanie:
Czy źródło prądowe o wydajności np. 10mA
A tak dokładnie to napięcie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA
może uszkodzić element półprzewodnikowy, np.
bramkę tranzystora MOS. Jeżeli nastąpi przebicie
(przy 10mA) to będzie chyba nieniszczące przebicie.
Tak mi się wydaje, ale może wypowie się ktoś bardziej
doświadczony w tej kwestii
Leszek
Marek Dzwonnik
Guest
Sun Dec 12, 2004 11:40 pm
Użytkownik "Leszek" <leszek_wieczorek@poczta.onet.pl> napisał w
wiadomości news:cpik83$kub$1@nemesis.news.tpi.pl
Quote:
Czy źródło prądowe o wydajności np. 10mA
A tak dokładnie to napięcie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA może uszkodzić element półprzewodnikowy, np.
bramkę tranzystora MOS. Jeżeli nastąpi przebicie
(przy 10mA) to będzie chyba nieniszczące przebicie.
Jeżeli to będzie przebicie lawinowe w złączu p-n to ma szanse być
nieniszczące. O ile nie przekroczy się rozsądnej mocy strat. W przypadku
bramki MOS-a spodziewałbym się raczej trwałego uszkodzenia. Ale odpowiadam
intuicyjnie, bo mechanizmy przebicia w tlenku bramkowym ćwiczyłem ...naście
lat temu i mało co z tego pamiętam.
--
Marek Dzwonnik, GG: #2061027 - zwykle jako 'niewidoczny'
(Uwaga Gadu-Gadulcowicze: Nie odpowiadam na anonimy.)
Marek Lewandowski
Guest
Mon Dec 13, 2004 8:22 am
Leszek <leszek_wieczorek@poczta.onet.pl> napisał(a):
Quote:
Mam takie pytanie:
Czy źródło prądowe o wydajności np. 10mA
A tak dokładnie to napięcie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA
może uszkodzić element półprzewodnikowy, np.
bramkę tranzystora MOS. Jeżeli nastąpi przebicie
(przy 10mA) to będzie chyba nieniszczące przebicie.
Przebicie złącz P-N będzie raczej nieniszczące, chyba, że mowa o np. złączach
p- JFETów wejściowych w opampie (raczej maciupcie dopuszczalne moce strat).
Przebicie bramki MOS będzie IMO trwale niszczące.
--
Marek (at work)
--
Wysłano z serwisu Usenet w portalu Gazeta.pl ->
http://www.gazeta.pl/usenet/
Ĺukasz SokĂłĹ
Guest
Mon Dec 13, 2004 6:24 pm
RoMan Mandziejewicz
Guest
Mon Dec 13, 2004 7:17 pm
Hello Łukasz,
Monday, December 13, 2004, 7:24:45 PM, you wrote:
Quote:
Mam takie pytanie:
Czy 1ród3o prądowe o wydajności np. 10mA
A tak dok3adnie to napiecie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA
mo?e uszkodzia element pó3przewodnikowy, np.
bramke tranzystora MOS. Je?eli nastąpi przebicie
(przy 10mA) to bedzie chyba nieniszczące przebicie.
Tak mi sie wydaje, ale mo?e wypowie sie ktoś bardziej
doświadczony w tej kwestii
1. Prąd będzie płynął tak długo aż naładuje się pojemność MOS-a.
2. Po przekroczeniu napięcia przebicia bramka tranzystora MOS zostanie
trwale uszkodzona.
Wniosek: nawet nie zdążysz powiedzieć "o ..." .
O ile bramka nie jest zabezpieczona wbudowanymi diodami - co nie jest
rzadkim zjawiskiem we współczesnych MOSFETach.
--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl
Łukasz Sokół
Guest
Mon Dec 13, 2004 9:34 pm
Użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:
Quote:
Hello Łukasz,
Monday, December 13, 2004, 7:24:45 PM, you wrote:
Mam takie pytanie:
Czy 1ród3o prądowe o wydajności np. 10mA
A tak dok3adnie to napiecie 60V podane przez rezystor
6kOhm - czyli 10mA
mo?e uszkodzia element pó3przewodnikowy, np.
bramke tranzystora MOS. Je?eli nastąpi przebicie
(przy 10mA) to bedzie chyba nieniszczące przebicie.
Tak mi sie wydaje, ale mo?e wypowie sie ktoś bardziej
doświadczony w tej kwestii
1. Prąd będzie płynął tak długo aż naładuje się pojemność MOS-a.
2. Po przekroczeniu napięcia przebicia bramka tranzystora MOS zostanie
trwale uszkodzona.
Wniosek: nawet nie zdążysz powiedzieć "o ..." .
O ile bramka nie jest zabezpieczona wbudowanymi diodami - co nie jest
rzadkim zjawiskiem we współczesnych MOSFETach.
Ale wróżka grupowa ma wolne i nie wie jaki to tranzystor...
:)
eL eS
--
| W T F |
| O M F G |
| I HATE 1337 |
|speak so damn|
|much it hurts|