NOWY TEMAT
elektroda NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Wpływ napięcia w zakresie 1-1,2V na pojemność podbramkową tranzystora NMOS?
Cyrk
Guest
Guest
Tue Feb 13, 2007 5:57 pm
Witam. Realizuje w scalaku kondensator za pomoca pojemnosci podbramkowej
tranzystora NMOS. Wiem, ze stabilna pojemnosc takiego ustrojstwa uzyskam
dopiero powyzej jakichs 1-1,2V (zalezy od tranzystora). i teraz moje
pytanie: czy jest to spowodowane wylacznie tym, ze ponizej tego napiecia
kanal nie jest jeszcze w pelni utworzony czy jest tam jakis inny efekt ktory
ma na to wplyw?
Zdravim
Greg(G.Kasprowicz)
Guest
Guest
Wed Feb 14, 2007 12:13 pm
Quote:
Witam. Realizuje w scalaku kondensator za pomoca pojemnosci podbramkowej
tranzystora NMOS. Wiem, ze stabilna pojemnosc takiego ustrojstwa uzyskam
dopiero powyzej jakichs 1-1,2V (zalezy od tranzystora). i teraz moje
pytanie: czy jest to spowodowane wylacznie tym, ze ponizej tego napiecia
kanal nie jest jeszcze w pelni utworzony czy jest tam jakis inny efekt
ktory ma na to wplyw?
tranzystora NMOS. Wiem, ze stabilna pojemnosc takiego ustrojstwa uzyskam
dopiero powyzej jakichs 1-1,2V (zalezy od tranzystora). i teraz moje
pytanie: czy jest to spowodowane wylacznie tym, ze ponizej tego napiecia
kanal nie jest jeszcze w pelni utworzony czy jest tam jakis inny efekt
ktory ma na to wplyw?
chwila, a nie pomylilo ci sie z pojemnoscia zlacza pn?
otwarcie lub zamkniecie kanalu mialoby wplyw na Rs takeigo kondensatora, ale
chyba nie na jego pojemnosc
entroper
Guest
Guest
Wed Feb 14, 2007 2:07 pm
Użytkownik "Greg(G.Kasprowicz)" <Grzegorz.Kasprowicz_usunto_@CERN.CH> napisał
w wiadomości news:equqsf$alm$1@inews.gazeta.pl...
Quote:
chwila, a nie pomylilo ci sie z pojemnoscia zlacza pn?
otwarcie lub zamkniecie kanalu mialoby wplyw na Rs takeigo kondensatora,
ale chyba nie na jego pojemnosc
otwarcie lub zamkniecie kanalu mialoby wplyw na Rs takeigo kondensatora,
ale chyba nie na jego pojemnosc
Koledze chodziło chyba o pojemność bramka-kanał, jak najbardziej nieliniową
względem napięcia - tworzenie kanału polega przecież na przesuwaniu ładunków.
e.
Cyrk
Guest
Guest
Wed Feb 14, 2007 3:26 pm
Użytkownik "entroper" <entroper@CWD.spamerom.poczta.onet.pl> napisał w
wiadomości news:eqv1kj$i8r$1@nemesis.news.tpi.pl...
Quote:
Użytkownik "Greg(G.Kasprowicz)" <Grzegorz.Kasprowicz_usunto_@CERN.CH
napisał
w wiadomości news:equqsf$alm$1@inews.gazeta.pl...
chwila, a nie pomylilo ci sie z pojemnoscia zlacza pn?
otwarcie lub zamkniecie kanalu mialoby wplyw na Rs takeigo kondensatora,
ale chyba nie na jego pojemnosc
Koledze chodziło chyba o pojemność bramka-kanał, jak najbardziej
nieliniową
względem napięcia - tworzenie kanału polega przecież na przesuwaniu
ładunków.
napisał
w wiadomości news:equqsf$alm$1@inews.gazeta.pl...
chwila, a nie pomylilo ci sie z pojemnoscia zlacza pn?
otwarcie lub zamkniecie kanalu mialoby wplyw na Rs takeigo kondensatora,
ale chyba nie na jego pojemnosc
Koledze chodziło chyba o pojemność bramka-kanał, jak najbardziej
nieliniową
względem napięcia - tworzenie kanału polega przecież na przesuwaniu
ładunków.
Hmmm nie mam pojecia jakie sa polskie nazwy, bo bazuje na literaturze
angielskojezycznej. Chodzi mi o cos takiego:
http://images11.fotosik.pl/52/3b0fef218dd849c4.jpg (rysunek w paincie
robiony w pospiechu)
wartosc pojemnosci 15,5pF powyzej jakichs 1,2V.
I teraz pytanie brzmi: czy oprocz widocznego przejsca przez kolejne zakresy
pracy tego tranzystora jeszcze cos wplywa na taki wyglada charakterystyki
pojemnosci wzgledem napiecia?
entroper
Guest
Guest
Wed Feb 14, 2007 4:58 pm
Użytkownik "Cyrk" <cyryk(malpka)op.pl(koniec)@nie.chce.smieci> napisał w
wiadomości news:eqv67e$8fp$1@news.mm.pl...
Quote:
I teraz pytanie brzmi: czy oprocz widocznego przejsca przez kolejne zakresy
pracy tego tranzystora jeszcze cos wplywa na taki wyglada charakterystyki
pojemnosci wzgledem napiecia?
pracy tego tranzystora jeszcze cos wplywa na taki wyglada charakterystyki
pojemnosci wzgledem napiecia?
co to znaczy "jeszcze coś" ? Jeszcze coś oprócz samego tranzystora ?
Proponuję wpisać w google chociażby MOSFET CV i zapoznać się np. z drugim
wynikiem www.keithley.com/data?asset=3580. Jest tam wszystko ładnie opisane
(troche mylące jest to p-type substrate, ale dalej się wyjaśnia).
e.
Cyrk
Guest
Guest
Wed Feb 14, 2007 5:07 pm
Quote:
Proponuję wpisać w google chociażby MOSFET CV i zapoznać się np. z drugim
wynikiem www.keithley.com/data?asset=3580. Jest tam wszystko ładnie
opisane
wynikiem www.keithley.com/data?asset=3580. Jest tam wszystko ładnie
opisane
O wlasnie o cos takiego mi chodzilo - dzieki wielkie.
elektroda NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Wpływ napięcia w zakresie 1-1,2V na pojemność podbramkową tranzystora NMOS?