NOWY TEMAT
elektroda NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Wartość napięcia progowego w MOSFET-ach: czynniki wpływające na Ut i Ugs(th)?
Raf
Guest
Guest
Sat Feb 24, 2007 6:12 pm
Witam,
Jak wiadomo jeden z podzialow MOSFET-ow jest na:
- z kanalem wzbogacanym
- z kanalem zubazanym
Formalnie jedyna roznica miedzy nimi to
wartosc napiecia progowego oznaczana
jako Ut lub Ugs(th)
Moje pytanie brzmi:
Od czego zalezy wartosc tego parametru?
Czy jest to zwiazane z technologia wytwarzania
i definiowane w tym procesie czy moze dany
fizyczny tranzystor moze pracowac w zaleznosci
od czegos i z kanalem wzbogacanym i zubazanym?
Pozdrawiam,
Raf
Arczi
Guest
Guest
Sat Feb 24, 2007 6:12 pm
Raf napisał(a):
Quote:
Czy jest to zwiazane z technologia wytwarzania
i definiowane w tym procesie
i definiowane w tym procesie
Tak.
--
Pozdrawiam
Arczi
Łukasz Zemła
Guest
Guest
Sat Feb 24, 2007 8:26 pm
Raf napisał(a):
Quote:
Witam,
Jak wiadomo jeden z podzialow MOSFET-ow jest na:
- z kanalem wzbogacanym
- z kanalem zubazanym
Formalnie jedyna roznica miedzy nimi to
wartosc napiecia progowego oznaczana
jako Ut lub Ugs(th)
Jak wiadomo jeden z podzialow MOSFET-ow jest na:
- z kanalem wzbogacanym
- z kanalem zubazanym
Formalnie jedyna roznica miedzy nimi to
wartosc napiecia progowego oznaczana
jako Ut lub Ugs(th)
Formalnie to:
1. Nie tylko formalna różnica
2. Nie tylko wartości, ale interpretacji tego parametru
Quote:
Moje pytanie brzmi:
Od czego zalezy wartosc tego parametru?
Czy jest to zwiazane z technologia wytwarzania
i definiowane w tym procesie czy moze dany
fizyczny tranzystor moze pracowac w zaleznosci
od czegos i z kanalem wzbogacanym i zubazanym?
Od czego zalezy wartosc tego parametru?
Czy jest to zwiazane z technologia wytwarzania
i definiowane w tym procesie czy moze dany
fizyczny tranzystor moze pracowac w zaleznosci
od czegos i z kanalem wzbogacanym i zubazanym?
Zależy to od procesu technologicznego, po prostu robi się:
1. Albo tranzystor z kanałem zubażanym (inna nazwa - wbudowanym) (kanał
z nośnikami powstaje i jest na "dzień dobry" - należy użyć napięcia Ugs,
aby go zmniejszać, wypychać nośniki, "zubażać").
2. Wzbogacanym (inna nazwa - indukowanym) - na "dzień dobry" kanału nie
ma i należy używać napięcia Ugs aby go stworzyć, zaprosić, wepchnąć
nośniki do niego, "wzbogacić", "wyindukować".
--
Pozdrawiam,
Łukasz "Coulomb" Zemła
Raf
Guest
Guest
Sat Feb 24, 2007 10:32 pm
Łukasz Zemła wrote:
Quote:
1. Albo tranzystor z kanałem zubażanym (inna nazwa - wbudowanym) (kanał
z nośnikami powstaje i jest na "dzień dobry" - należy użyć napięcia Ugs,
aby go zmniejszać, wypychać nośniki, "zubażać").
2. Wzbogacanym (inna nazwa - indukowanym) - na "dzień dobry" kanału nie
ma i należy używać napięcia Ugs aby go stworzyć, zaprosić, wepchnąć
nośniki do niego, "wzbogacić", "wyindukować".
z nośnikami powstaje i jest na "dzień dobry" - należy użyć napięcia Ugs,
aby go zmniejszać, wypychać nośniki, "zubażać").
2. Wzbogacanym (inna nazwa - indukowanym) - na "dzień dobry" kanału nie
ma i należy używać napięcia Ugs aby go stworzyć, zaprosić, wepchnąć
nośniki do niego, "wzbogacić", "wyindukować".
No tak, tylko teraz pojawia sie pytanie czy np. tranzystor z kanalem
wbudowanym, moze dzialac na zasadzie wzbogacania?
Mozna to wywnioskowac z ksiazki Wieslawa Marciniaka - Przyrzady
Półprzewodnikowe I Układy Scalone (ciezka pozycja dla mnie ;)
--
Pozdrawiam,
Raf
nuclear
Guest
Guest
Sun Feb 25, 2007 4:12 am
Quote:
No tak, tylko teraz pojawia sie pytanie czy np. tranzystor z kanalem
wbudowanym, moze dzialac na zasadzie wzbogacania?
Mozna to wywnioskowac z ksiazki Wieslawa Marciniaka - Przyrzady
Półprzewodnikowe I Układy Scalone (ciezka pozycja dla mnie ;)
ze swojej strony polecam zajrzeć do skryptu Koprowskiego(podstawowe
wbudowanym, moze dzialac na zasadzie wzbogacania?
Mozna to wywnioskowac z ksiazki Wieslawa Marciniaka - Przyrzady
Półprzewodnikowe I Układy Scalone (ciezka pozycja dla mnie ;)
ze swojej strony polecam zajrzeć do skryptu Koprowskiego(podstawowe
przyrządy półprzewodnikowe), dość ciekawie opisał miedzy innymi te elementy.
Desoft
Guest
Guest
Sun Feb 25, 2007 9:26 am
Użytkownik "Raf" <rafUSUN@USUNmahtar.net> napisał w wiadomości
news:erqb4e$jci$1@nemesis.news.tpi.pl...
Quote:
Łukasz Zemła wrote:
No tak, tylko teraz pojawia sie pytanie czy np. tranzystor z kanalem
wbudowanym, moze dzialac na zasadzie wzbogacania?
Mozna to wywnioskowac z ksiazki Wieslawa Marciniaka - Przyrzady
Półprzewodnikowe I Układy Scalone (ciezka pozycja dla mnie
No tak, tylko teraz pojawia sie pytanie czy np. tranzystor z kanalem
wbudowanym, moze dzialac na zasadzie wzbogacania?
Mozna to wywnioskowac z ksiazki Wieslawa Marciniaka - Przyrzady
Półprzewodnikowe I Układy Scalone (ciezka pozycja dla mnie
Tłumaczenie tekstu powyżej:
No tak teraz pojawia się pytanie czy np. jeżeli w tranzystorze jest kanał
otwarty to można go otworzyć?
--
Desoft
http://217.96.144.226/desoft
Raf
Guest
Guest
Sun Feb 25, 2007 3:01 pm
Desoft wrote:
Quote:
Tłumaczenie tekstu powyżej:
No tak teraz pojawia się pytanie czy np. jeżeli w tranzystorze jest kanał
otwarty to można go otworzyć?
No tak teraz pojawia się pytanie czy np. jeżeli w tranzystorze jest kanał
otwarty to można go otworzyć?
Hehe, no tak, dzieki za bardzo obrazowe przedstawienie tematu,
--
Pozdrawiam,
Raf
elektroda NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Wartość napięcia progowego w MOSFET-ach: czynniki wpływające na Ut i Ugs(th)?