TOmek
Guest
Tue Feb 05, 2008 6:32 pm
Proszę o objaśnienie dlaczego sterowanie segmentami wyświetlaczy LED ze wspólną
anodą odbywa się za pomocą tranzystora PNP. Dlaczego nie robi się tego na
tranzystorze NPN ?
Dziękuję,
--
TOmek
Jacek Maciejewski
Guest
Tue Feb 05, 2008 7:53 pm
Dnia Tue, 5 Feb 2008 18:32:03 +0100, TOmek napisał(a):
Quote:
Proszę o objaśnienie dlaczego sterowanie segmentami wyświetlaczy LED ze wspólną
anodą odbywa się za pomocą tranzystora PNP. Dlaczego nie robi się tego na
tranzystorze NPN ?
Skąd takie przypuszczenie?Jeśli tylko sterowanie nie jest multipleksowane
to najwygodniej sterować każdym segmentem za pomocą NPN-a od strony masy,
podczas kiedy wspólna anoda jest do Vcc.
Jeśli sterowanie jest multipleksowane to od strony wspólnej anody daje się
z reguły dodatkowy tranzystor PNP który włącza dany wyświetlacz w
odpowiedniej fazie.
--
Jacek
Roman
Guest
Tue Feb 05, 2008 8:04 pm
Użytkownik "TOmek" <tomek@noname.pl> napisał w wiadomości
news:foa6jq$r7n$1@news2.task.gda.pl...
Quote:
Proszę o objaśnienie dlaczego sterowanie segmentami wyświetlaczy LED ze
wspólną
anodą odbywa się za pomocą tranzystora PNP. Dlaczego nie robi się tego na
tranzystorze NPN ?
Chyba chodzi Ci o sterowanie multipleksowe (kluczowane) całym wyświetlaczem
7-segm. przez jego anodę?
Kluczowanie (chwilowe załączanie) zespołu LED 7 segm. ze wspólną anoda
polega na przyłączaniu (zwieraniu) tej anody z (+) zasilania - zwykle 5V.
Najlepiej robić to tranzystorem p-n-p (lub MOS-FETem z kanałem p). Jego
emiter do (+), kolektor do anody wyświetlacza, a kluczowanie niskim
poziomem na bazie (co wprowadzi ten tranzystor w stan max. przewodzenia -
nasycenie).
Nie jest zabronione robić to na tranzystorze n-p-n lub MOS-FET-cie z kanałem
n. Wtedy kolektor do (+) zasilania, emiter na anodę wyświetlacza, a
baza/bramka .... Tu mały problem - do wysterowania (nasycenia) tego
tranzystora trzeba "wyskoczyć" z napięciem sterującym ponad owe +5Volt.
Komplikuje to sprawę, choć są na to sposoby - np. sterowanie bramką
MOS-FET-a przez tzw. bootstrap.
Roman
TOmek
Guest
Tue Feb 05, 2008 8:32 pm
Użytkownik "Roman" <romantek@poczta.onet.pl> napisał w wiadomości
news:foabue$hpr$1@news.onet.pl...
Quote:
Użytkownik "TOmek" <tomek@noname.pl> napisał w wiadomości
news:foa6jq$r7n$1@news2.task.gda.pl...
Nie jest zabronione robić to na tranzystorze n-p-n lub MOS-FET-cie z kanałem
n. Wtedy kolektor do (+) zasilania, emiter na anodę wyświetlacza, a
baza/bramka .... Tu mały problem - do wysterowania (nasycenia) tego
tranzystora trzeba "wyskoczyć" z napięciem sterującym ponad owe +5Volt.
Komplikuje to sprawę, choć są na to sposoby - np. sterowanie bramką
MOS-FET-a przez tzw. bootstrap.
Dlaczego należy podnieść napięcie sterujące (CE) ? Pewnie jest to związane z
napięciem CE w stanie nasycenia tranzystora ? Proszę o wyjaśnienie. Uczę się i
dlatego zadaję takie pytania.
Dziękuję,
--
TOmek
Adam Dybkowski
Guest
Tue Feb 05, 2008 10:46 pm
TOmek pisze:
Quote:
Proszę o objaśnienie dlaczego sterowanie segmentami wyświetlaczy LED ze
wspólną anodą odbywa się za pomocą tranzystora PNP. Dlaczego nie robi
się tego na tranzystorze NPN ?
Nie daj się zwieść. Najlepiej wspólną anodę włączać tranzystorem P-MOS a
nie starym bipolarnym wynalazkiem PNP.
--
Adam Dybkowski
http://www.amwaw.edu.pl/~adybkows/
Uwaga: przed wysłaniem do mnie maila usuń cyfry z adresu.
Roman
Guest
Tue Feb 05, 2008 11:05 pm
Użytkownik "TOmek" <tomek@noname.pl> napisał w wiadomości
news:foadku$93$1@news2.task.gda.pl...
Quote:
Tu mały problem - do wysterowania (nasycenia) tego
tranzystora trzeba "wyskoczyć" z napięciem sterującym ponad owe +5Volt.
Komplikuje to sprawę, choć są na to sposoby - np. sterowanie bramką
MOS-FET-a przez tzw. bootstrap.
Dlaczego należy podnieść napięcie sterujące (CE) ?
steruje się do bazy - czyli napięcie na bazie!
Quote:
Pewnie jest to związane z
napięciem CE w stanie nasycenia tranzystora ?
nie ma to wiele wspólnego - tranzystor ma pracować jako klucz, czyli ma się
nasycić (obojętne n-p-n czy p-n-p) (lub uzyskać Rdson=minimum dla MOS-FETa)
Wysterowanie (nasycenie) tranzystora n-p-n (też n-MOS-FET-a) wymaga
przyłożenia pewnego napięcia dodatniego na bazę (bramkę) względem emitera
(źródła) - to rzecz znana.
Zastosowanie tranzystora n-p-n jako klucza przyłączającego napięcie bliskie
+5V do owej anody wyświetlacza 7-segm. stawia go tu w roli wtórnika
emiterowego (żródłowego). Czyli aby uzyskać na tej anodzie (połączonej z
emiterem/źródłem) ok. +5V trzeba na bazie (bramce) dać napięcie ponad 5V.
W momencie nasycenia napięcia na takim tranzystorze n-p-n powinny być
przykładowo:
Uc=5,0 V
Ue=4,8 V
Ub=5,5 V
Widać, że trzeba wysterować napięcie na bazie: Ub>5V . Jeśli to jest czysty
układ cyfrowy zasilany tylko z jednego napięcia 5V pojawia się owa
"trudność".
Roman
Roman
Guest
Tue Feb 05, 2008 11:20 pm
Użytkownik "Adam Dybkowski" <adybkows12@45wp.pl> napisał w wiadomości
news:foalrt$5pa$2@nemesis.news.tpi.pl...
Quote:
Nie daj się zwieść. Najlepiej wspólną anodę włączać tranzystorem P-MOS a
nie starym bipolarnym wynalazkiem PNP.
Spokojnie - niech kol. Tomek zrozumie póki co takie schematy z bipolarnymi.
Tak zresztą są rysowane starsze aplikacje zawierające wyświetlacze 7-segm.
Odkąd w sklepie za rogiem mam w detalu mos-tranzystorki smd BSS84 po 0,40zł
i BSS138 po 0,60zł. to gdzie się da to eliminuję w konstrukcjach bipolarne.
Roman
Zbych
Guest
Wed Feb 06, 2008 5:24 pm
Roman przemówił ludzkim głosem:
Quote:
Odkąd w sklepie za rogiem mam w detalu mos-tranzystorki smd BSS84 po 0,40zł
i BSS138 po 0,60zł. to gdzie się da to eliminuję w konstrukcjach bipolarne.
A taki BC807/817 kosztuje w ilościach produkcyjnych mniej niż 4gr. a
wydajność prądową ma zdecydowanie większa, więc nic dziwnego, że w
normalnej produkcji ludzie nadal używają bipolarnych.
Roman
Guest
Wed Feb 06, 2008 5:42 pm
"Zbych" <abuse@onet.pl> wrote in message
news:focn2a$8vp$1@atlantis.news.tpi.pl...
Quote:
A taki BC807/817 kosztuje w ilościach produkcyjnych mniej niż 4gr. a
wydajność prądową ma zdecydowanie większa, więc nic dziwnego, że w
normalnej produkcji ludzie nadal używają bipolarnych.
Polowe dobrze się stosuje w technikach cyfrowych - podaję na GATE wprost z
wyjść cyfrowych - bipolarny wymagał jeszcze opornika. .
Dawniej MOSy smd były mało dostępne - teraz chyba i cena i dostępność jest
OK,nie są też tak wrażliwe na elektrostatykę jak kiedyś BS170 czy BS250.
Roman
Zbych
Guest
Wed Feb 06, 2008 5:42 pm
Roman przemówił ludzkim głosem:
Quote:
Polowe dobrze się stosuje w technikach cyfrowych - podaję na GATE wprost z
wyjść cyfrowych
Tylko, że w czasie resetu większość współczesnych uC ma na wyjściach
stan wysokiej impedancji i bez opornika wymuszającego stan spoczynkowy
mogą się w tym czasie dziać jakieś jaja. Ale kto by się takim
szczegółami przejmował

.
Roman
Guest
Wed Feb 06, 2008 10:34 pm
Użytkownik "Zbych" <abuse@onet.pl> napisał w wiadomości
news:foco90$d3h$1@atlantis.news.tpi.pl...
Quote:
Tylko, że w czasie resetu większość współczesnych uC ma na wyjściach
stan wysokiej impedancji i bez opornika wymuszającego stan spoczynkowy
mogą się w tym czasie dziać jakieś jaja. Ale kto by się takim
szczegółami przejmował

.
Nie zawsze tranzystor ze stanem niskim na wyjściu to zło wcielone. . .
A tak poważnie - te tranzystory służą zwykle do negacji, albo konwersji
poziomów napięć - cokolwiek by to znaczyło.
Roman
Zbych
Guest
Wed Feb 06, 2008 10:57 pm
Roman przemówił ludzkim głosem:
Quote:
Nie zawsze tranzystor ze stanem niskim na wyjściu to zło wcielone. . .
Chyba nie zrozumiałeś tego co napisałem, więc napiszę jaśniej. Twoje
rozwiązanie z brakiem jakiegokolwiek opornika jest do dupy, bo nie
wiadomo co się będzie działo w czasie gdy uC jest w resecie (wyjścia uC
są w stanie Z).
Roman
Guest
Thu Feb 07, 2008 9:24 am
"Zbych" <abuse@onet.pl> wrote in message
news:fodahu$akn$1@atlantis.news.tpi.pl...
Quote:
Chyba nie zrozumiałeś tego co napisałem,
Nie mam z tym problemów!. Projektuję tak układy, by stany nieustalone przy
załączeniu lub wyłączeniu nie miały destrukcyjnego wpływu na działanie
urządzenia. I tyle.
Roman