NOWY TEMAT
elektroda NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Rozwiązywanie zakłóceń przy włączaniu MOSFET-a w przetwornicy step-down
Adam Górski
Guest
Guest
Wed Feb 09, 2011 9:14 am
Quote:
No ale wszystkie diody mają skończony RR - A może się mylę ?
Możesz coś zasugerować ( jakiś typ, rodzinę )?
Tam są OIDP duże napięcia, więc tylko SiC (jeśli są na takie prądy)
albo
current snubber do wygaszenia impulsu. Ale najpierw bym sprawdził,
czy to
rzeczywiście to
To może lepiej dać drugieg MOSFETA zamiast diody jeśli to rzeczywiście
czas RR robi problem ?
W strukturze MOSFETa też masz diodę... A problemem może być zbyt szybka
dioda a nie zbyt wolna.
1. Dobrze by miec soft recovery, jak reszta ukladu zniesie.
2. Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co
chcesz jako free-wheeling diode.
3. Odizolowac (elektrycznie) mosfeta od radiatora i sie cieszyc ze juz
nie sieje (mozna jeszcze uziemic radiator, bo troche bedzie zbierac
pojemnosciowo przez przekladke izolacyjna).
W zasadzie punkt 3 powinien byc na pierwszym miejscu.
Jako że nie mogę zmierzyć prądu diody - mogę jedynie doświadczalnie
stwierdzić czy jest lepiej czy gorzej.
Znalazłem SiC na 16A - są jakieś "przeciw" jeśli połącze 4-5 równolegle ?
Mam mosfeta w obudowie SOT227B - jest izolowany wewnetrznie od
radiatora. Radiator jest uziemiony.
Adam
Jaroslaw Berezowski
Guest
Guest
Wed Feb 09, 2011 10:12 pm
Dnia Tue, 08 Feb 2011 21:55:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):
Quote:
2.Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co
chcesz jako free-wheeling diode.
A nie lepiej tego SBD wsadzic po prostu jako FWD? I MOSFET bedzie mial
chcesz jako free-wheeling diode.
A nie lepiej tego SBD wsadzic po prostu jako FWD? I MOSFET bedzie mial
lagodniejsze warunki pracy, i straty spadna, i zaklocenia.
BTW. Czy oprocz SiC sa juz dostepne diody na GaAs/GaN? Jakis czas temu
anonsy mowily, ze wlasnie jest uruchamiana produkcja seryjna takowych.
--
Jaroslaw "jaros" Berezowski
Jerry1111
Guest
Guest
Wed Feb 09, 2011 11:37 pm
On 09/02/2011 08:14, Adam Górski wrote:
Quote:
Znalazłem SiC na 16A - są jakieś "przeciw" jeśli połącze 4-5 równolegle ?
A nie wiem. Ale tu masz na 34A (a nawet 50A I_Fpeak):
http://uk.rs-online.com/web/search/searchBrowseAction.html?method=getProduct&R=7027493
--
Jerry1111
Jerry1111
Guest
Guest
Wed Feb 09, 2011 11:39 pm
On 09/02/2011 21:12, Jaroslaw Berezowski wrote:
Quote:
Dnia Tue, 08 Feb 2011 21:55:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):
2.Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co
chcesz jako free-wheeling diode.
A nie lepiej tego SBD wsadzic po prostu jako FWD? I MOSFET bedzie mial
lagodniejsze warunki pracy, i straty spadna, i zaklocenia.
2.Odizolowac diode Mosfeta przy uzyciu SiC i wtedy mozesz se wsadzic co
chcesz jako free-wheeling diode.
A nie lepiej tego SBD wsadzic po prostu jako FWD? I MOSFET bedzie mial
lagodniejsze warunki pracy, i straty spadna, i zaklocenia.
Chodzilo mi o cos takiego:
|
+----+
| |
__ |
D1 \/ |
| /\ D2
| --
+-+ |
| | |
| | |
--+ | |
+-+ |
| |
+----+
|
|
W ten sposob nie uzywasz diody zwrotnej mosfeta, tylko swoja diode D2.
Po co napisalem 'free-wheeling', to nie mam pojecia - chyba juz za pozno
bylo.
Quote:
BTW. Czy oprocz SiC sa juz dostepne diody na GaAs/GaN? Jakis czas temu
anonsy mowily, ze wlasnie jest uruchamiana produkcja seryjna takowych.
anonsy mowily, ze wlasnie jest uruchamiana produkcja seryjna takowych.
Zielonego pojecia nie mam, ale to nie najtansza technologia.
--
Jerry1111
Jaroslaw Berezowski
Guest
Guest
Thu Feb 10, 2011 12:50 am
Dnia Wed, 09 Feb 2011 22:39:28 +0000, Jerry1111 napisał(a):
Quote:
Chodzilo mi o cos takiego:
A ty o trasiu prostownika synchronicznego Myslalem, ze o kluczu
A ty o trasiu prostownika synchronicznego
Myslalem, ze o kluczuprzetwornicy i sie zastanawialem, co za uklad wymysliles.
Quote:
Zielonego pojecia nie mam, ale to nie najtansza technologia.
No wlasnie z GaAs i GaN chgodzilo o redukcje kosztow. Technologia podlozy
No wlasnie z GaAs i GaN chgodzilo o redukcje kosztow. Technologia podlozy
z tych dwoch materialow zostala niezle dopracowana przy okazji produkcji
LEDow w odroznieniu od SiC.
--
Jaroslaw "jaros" Berezowski
Jaroslaw Berezowski
Guest
Guest
Thu Feb 10, 2011 12:51 am
Dnia Wed, 09 Feb 2011 09:14:39 +0100, Adam Górski napisał(a):
Quote:
stwierdzić czy jest lepiej czy gorzej. Znalazłem SiC na 16A - są jakieś
"przeciw" jeśli połącze 4-5 równolegle
Dla SBD nie. Maja dodatni wsp. temperaturowy i sie bezpiecznie
"przeciw" jeśli połącze 4-5 równolegle
Dla SBD nie. Maja dodatni wsp. temperaturowy i sie bezpiecznie
zrownoleglaja.
--
Jaroslaw "jaros" Berezowski
elektroda NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Rozwiązywanie zakłóceń przy włączaniu MOSFET-a w przetwornicy step-down