Układ przerzutnika bistabilnego - przyczyny braku działania w symulacji i rzeczywistości?

Sun Mar 01, 2015 3:22 pm   

Wymyśliłem taki układ przerzutnika:

http://s1.fotowrzut.pl/36Z9UK1RCY/1.jpg

Wykres niebieski to wyjście z generatora impulsów,
zielony to napięcie na drenie.

Niestety nie działa ani na symulacji, ani
w rzeczywistości. Uzasadnienie dla działania:

Jeśli tranzystor przewodzi, to na drenie jest 0V,
więc na bramce sprzężonej przez R2 też i układ
jest w stanie stabilnym.

Jeśli na bramce pojawi się 10V, to tranzystor
zostanie zatkany i na drenie będzie też 10V,
więc po zaniku napięcia na bramce układ podtrzyma
się w drugim stanie stabilnym.

A jednak tak się nie dzieje -- dlaczego?

Pozdrawiam, Piotr

---
Ta wiadomość została sprawdzona na obecność wirusów przez oprogramowanie antywirusowe Avast.
http://www.avast.com

Sun Mar 01, 2015 5:24 pm   

W dniu 2015-03-01 o 15:22, Piotr Wyderski pisze:

Ale żeś zakombinował...
Chcesz powiedzieć, że p-kanałowy tranzystor polaryzujesz podając plus na
dren?

Pozdrawiam

DD

Sun Mar 01, 2015 7:38 pm   

1. to musi być sprzężenie dodatnie, a nie ujemne
2. na schematach z wykładów dla powskich elit można zauważyć, że nie ma tam
diody tylko kondensator...

Sun Mar 01, 2015 8:48 pm   

Dariusz Dorochowicz wrote:


JEFTy są symetryczne, więc bycie drenem jest kwestią umowną.
I to działa w praktyce przy wymuszeniu zewnętrznym na bramce,
testowałem to sobie na biurku. Tylko zatrzasnąć się nie chce.

Pozdrawiam, Piotr

Sun Mar 01, 2015 8:54 pm   

"identyfikator: 20040501" <NOSPAMtestowanije@go2.pl> schrieb im Newsbeitrag
news:mcvmah$rmp$1@node2.news.atman.pl...


Taki morał...

Sun Mar 01, 2015 9:07 pm   

Piotr Wyderski wrote:


I symulator też o tym wie, po odwróceniu tranzystora wykresy
są identyczne.

Taka polaryzacja jest stosowana w praktyce, np. w układach
szybkiego wyłączania MOSFETów przy sterowaniu fotowoltaicznym.
Przykład: 4 strona datasheetu VOM1271.

Sam też skorzystałem z tego do dorobienia UVLO dla MCP1416
(pasował mi ze względu na możliwość podania -5V względem GND
na wejście, podczas gdy większość driverów ma limit GND-0,3V):
źródło do masy, dren do wejścia sterującego drivera MOSFET,
bramka do masy przez rezystor 47k i przez zenerkę 9V do VCC.
Przy zasilaniu niższym niż ~10,2V tranzystor przewodzi
i wyłącza driver.

Pozdrawiam, Piotr

Sun Mar 01, 2015 10:30 pm   

identyfikator wrote:


Ależ jest dodatnie, EUgeniuszu... Tylko jego współczynnik <1.

Piotr

Sun Mar 01, 2015 10:33 pm   

wywal opornik bramka masa a zamiast diody
użyj małego kondesatora.


--
Pozdr

Janusz_K

Mon Mar 02, 2015 10:05 am   

W dniu 2015-03-01 o 21:07, Piotr Wyderski pisze:

Oczywiście. Tylko w tym momencie pojawia się hasło wtórnik źródłowy.
Popatrz jeszcze na układy z bootstrapem, bo w tym momencie coś takiego
chcesz zrobić.
Jeszcze nie słyszałem, żeby na pojedynczym tranzystorze ktoś zrobił
przerzutnik bistabilny (może dałoby się tak potraktować DRAM, ale tam co
innego pamięta).
Jak chcesz tak kombinować, to być może coś dałoby się zrobić w układzie
ze wspólną bramką, tylko że to wtedy mało użyteczne jest ze względu na
poziomy napięć, chociaż może... ale pewnie skończyłoby się na generatorze.

Pozdrawiam

DD

Mon Mar 02, 2015 10:09 am   

Użytkownik "Piotr Wyderski" <peter.pan@neverland.mil> napisał w wiadomości
news:mcv7ae$bmv$1@node2.news.atman.pl...


To mi nie gra.
Dren i źródło są wymienne. Funkcję źródła pełni (dla P) ten bardziej
dodatni.
Aby zablokować napięcie na G musi być o odpowiednie napięcie wyższe od
wyższego z napięć Z i D.

Jeśli na bramce masz 10 i na drenie(=źródle) też 10 to masz Ugs=0 czyli
włączony.

Według mnie jak na G podasz +10 to tranzystor się zatyka i napięcie na
drenie się podnosi, ale nie aż do 10V bo wcześniej nastąpi odetkanie -
ustawi się jakieś pośrednie napięcie. Jak zwolnisz G to 100k spowoduje
Ugs(bo dren pełni funkcję źródła)=0 i wyląduje z powrotem ze wszystkimi
napięciami równymi 0.
P.G.

Mon Mar 02, 2015 11:24 am   

Użytkownik "Piotr Wyderski" napisał w wiadomości
Wymyśliłem taki układ przerzutnika:

Co to jest 2n5460 ?
Jfet, mosfet normalnie wlaczony ?

Pdf dyskretnie pomija, choc ciekawie pisze ze D i S sa zamienialne ...


To jedno tlumaczenie, a drugie - po zwarciu bramki z drenem robi sie z
tranzystora zrodlo pradowe, 6mA przy Uds=15V, 1.5mA przy 1.8V ... ani
zrodlo pradowe nie jest przerzutnikiem, a ten spadek pradu jeszcze
pogarsza.

Czyli jak koledzy pisza - sprzezenie zwrotne niby jest, ale za slabe.

J.

Mon Mar 02, 2015 11:29 am   

Dariusz Dorochowicz wrote:


To chyba rzeczywiście działa tak, jak napisał Piotr Gałka.


Wiem, cała zabawa zaczęła się od (udanej) próby zrobienia przerzutnika
bistabilnego na sterowniku do MOSFETa. Chciałem zrobić układ, który
z jednej strony potrafi przeładować bramkę MOS dużym prądem, a z drugiej
potrafi pozostać w ustawionym stanie bez potrzeby ciągłego wymuszania
tego stanu. Konkretnie chodziło o to, by układ zabezpieczenia
nadprądowego w razie swego zadziałania natychmiast wyłączył klucz
"na amen" i czekał na reakcję sterownika, który ewentualnie podejmie
decyzję o ponownym włączeniu. No i się okazało, że wystarczy do tego
MCP1416 i opornik 47k. :-)

Potem dodałem UVLO na tranzystorze PJFET i zacząłem się zastanawiać,
czy on sam się nie może zatrzasnąć, bo na pierwszy rzut oka wszystko
co trzeba tam jest. No i okazuje się, że jeszcze nie wiem wszystkiego
o FETach. :-)


Tez nad tym myślę. Tam jest i wzmocnienie napięciowe
i brak odwrócenia fazy... Tylko pewnie tez nie zadziała,
bo w przeciwnym razie ktoś by to już wymyślił.

Pozdrawiam, Piotr

Mon Mar 02, 2015 11:32 am   

J.F. wrote:


P-JFET z całych trzech znanych LTSpice. Fizycznie mam MMBFJ177.


Tak, z kanałem P.

Pozdrawiam, Piotr

Mon Mar 02, 2015 12:08 pm   

W dniu 2015-03-02 o 11:29, Piotr Wyderski pisze:

Dokładnie tak. Zarówno układ wtórnika emiterowego jak i źródłowego daje
wzmocnienie mniejsze od 1 i to wystarcza, żeby się nie dało.


Jakbyś powiedział, że wiesz o jakimkolwiek przyrządzie półprzewodnikowym
wszystko, to ... no, jakoś to się określa tylko zapomniałem jak ;)


Nie, to ma szansę zadziałać, a nikt tego nie robi, bo można to zrobić
łatwo w scalaku nie komplikując sobie życia problemami z polaryzacją.
Właściwie to i bez scalaka - dodajesz jeden tranzystor i masz sprawę
rozwiązaną. Układ ze wspólną bazą jest po prostu mało użyteczny.

Pozdrawiam

DD

Mon Mar 02, 2015 12:33 pm   

W dniu 2015-03-02 o 12:08, Dariusz Dorochowicz pisze:

Jednak wzmocnienie prądowe mniejsze od jedności też może być poważnym
problemem, chociaż wydaje się, że powinno się dać tak dobrać punkt
pracy, żeby układ przełączał, tylko że to nie będzie to, o co ci chodzi
- bez dodatkowego tranzystora będzie to i tak bezużyteczne.

Pozdrawiam

DD