NOWY TEMAT
elektroda NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Projektowanie step-up konwertera z PIC 10F200 do zasilania IR LED 200mA
RoMan Mandziejewicz
Guest
Guest
Wed Aug 15, 2007 11:46 pm
Hello A,
Thursday, August 16, 2007, 12:28:15 AM, you wrote:
Quote:
Detal drobny - MOSFET otwierający się dobrze przy 2V. Masz więcej
mądrych pytań?
BS170 typowo 2.1V ?
1. 2.1V > 2V
2. Idmax = 0.5A
3. rdson = 5 om (!) przy Ugs = 10V (!!) (gwarantowane, typowa wartość
odrobinę lepsza)
Ty chcesz robić na tym przetwornicę? O jakiej wydajnosci? 0.1 mA?
Zobacz charakterystykę tego MOSFETa i już się nie ośmieszaj.
No dobrze, ale czy to znaczy że nie znajdę żadnego sensownego mosfeta w
sensownej cenie?
mądrych pytań?
BS170 typowo 2.1V ?
1. 2.1V > 2V
2. Idmax = 0.5A
3. rdson = 5 om (!) przy Ugs = 10V (!!) (gwarantowane, typowa wartość
odrobinę lepsza)
Ty chcesz robić na tym przetwornicę? O jakiej wydajnosci? 0.1 mA?
Zobacz charakterystykę tego MOSFETa i już się nie ośmieszaj.
No dobrze, ale czy to znaczy że nie znajdę żadnego sensownego mosfeta w
sensownej cenie?
Taniego nie znajdziesz.
Quote:
A jeśli zdecyduję się na NPN? I tu proszę o konstruktywne uwagi a
nie $*#$&*# I nawet jak spadek na CE będzie ok 0.2V to co?
nie $*#$&*# I nawet jak spadek na CE będzie ok 0.2V to co?
Masz bardzo optymistyczne podejście do tranzystorów, widzę.
Uzyskanie niskiego Ucesat dla tranzystora bipolarnego wymaga dużego
prądu bazy i powoduje problemy z wyjściem z nasycenia. Oba te czynniki
rażąco obniżają sprawność.
Quote:
Wydajność 70% zadowoliła by mnie zupełnie.
I do wydajności układów zasilanych z niskiego napięcia również.
70% masz szanse uzyskać ze scalonych przetwornic: LT1615, LM2621,
MAX1674-6, MAX1795-7, TPS6104x/06x itp. - ale one są nieprzyzwoicie
drogie.
Tania przetworniczka na elementach dyskretnych - 50% będzie sukcesem.
LM3578 daje szanse na może 60% ale będzie droższa.
Quote:
Skoro uważasz, że pozjadałeś wszelkie rozumy, to po czorta wchodzisz
na grupę i zadajesz pytanie?
Kurcze, to chyba ty masz jakiś zły dzień. Zamiast popisywać się,
możesz na spokojnie odpowiedzieć.
Ależ odpowiedziałem grzecznie i spokojnie - to Ty się rzucasz jak wesz
na kołnierzu.
Wszyscy widzimy.
na grupę i zadajesz pytanie?
Kurcze, to chyba ty masz jakiś zły dzień. Zamiast popisywać się,
możesz na spokojnie odpowiedzieć.
Ależ odpowiedziałem grzecznie i spokojnie - to Ty się rzucasz jak wesz
na kołnierzu.
Wszyscy widzimy.
Skończ jęczeć.
[...]
--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl
Spam (rdzenie do przetwornic): http://www.allegro.pl/my_page.php?uid=7416823
RoMan Mandziejewicz
Guest
Guest
Wed Aug 15, 2007 11:46 pm
Hello A,
Thursday, August 16, 2007, 12:38:52 AM, you wrote:
Quote:
Roman, ty to po kolei w głowie masz?
I ty jeszcze żądasz, żeby ci pomagać?
Nie żądam tylko proszę - jeśli masz kłopoty z odróżnieniem, a jak nie
chcesz bo nie masz nastroju i trzeba Cię pod włos brać, to nie zaśmiecaj
mi wątku, dobrze? Zbyt banalne pytania zadaję, nie odpowiadaj! Ktoś inny
może będzie łaskawszy
I ty jeszcze żądasz, żeby ci pomagać?
Nie żądam tylko proszę - jeśli masz kłopoty z odróżnieniem, a jak nie
chcesz bo nie masz nastroju i trzeba Cię pod włos brać, to nie zaśmiecaj
mi wątku, dobrze? Zbyt banalne pytania zadaję, nie odpowiadaj! Ktoś inny
może będzie łaskawszy
W takim razie życzę powodzenia.
--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl
Spam (rdzenie do przetwornic): http://www.allegro.pl/my_page.php?uid=7416823
A n g l e r
Guest
Guest
Wed Aug 15, 2007 11:59 pm
Quote:
A jeśli zdecyduję się na NPN? I tu proszę o konstruktywne uwagi a
nie $*#$&*# I nawet jak spadek na CE będzie ok 0.2V to co?
Masz bardzo optymistyczne podejście do tranzystorów, widzę.
Uzyskanie niskiego Ucesat dla tranzystora bipolarnego wymaga dużego
prądu bazy i powoduje problemy z wyjściem z nasycenia. Oba te czynniki
rażąco obniżają sprawność.
nie $*#$&*# I nawet jak spadek na CE będzie ok 0.2V to co?
Masz bardzo optymistyczne podejście do tranzystorów, widzę.
Uzyskanie niskiego Ucesat dla tranzystora bipolarnego wymaga dużego
prądu bazy i powoduje problemy z wyjściem z nasycenia. Oba te czynniki
rażąco obniżają sprawność.
Co radzisz w takim razie?
Quote:
Tania przetworniczka na elementach dyskretnych - 50% będzie sukcesem.
Dobrze, a jak byś zabrał się za taką tanią przetworniczkę? Może lepiej
pobawićsię w pompę ładunkową zamiast dławika?
Quote:
LM3578 daje szanse na może 60% ale będzie droższa.
No nie, nie wchodzi w grę niestety.
W ogóle nie bardzo chcę się bawić w tą przetwornicę, ale wydajne LED IR
TX mają f.v 3V, nie niższe. I tu pytanie, może wiecie o jakiejś, która
miałaby FV około 2V przy 100mA i wypromieniowaną moc ok 50mW/Sr przy
150mA, kąt ok 160 stopni?
Dzięki.
A n g l e r
Guest
Guest
Thu Aug 16, 2007 3:10 am
Quote:
miałaby FV około 2V przy 100mA i wypromieniowaną moc ok 50mW/Sr przy
150mA, kąt ok 160 stopni?
150mA, kąt ok 160 stopni?
Ahh, tu samokrytyka - zacząłem myśleć o tej mocy i nie miało to sensu
dla tego małego prądu i FV! - 50mW/Sr. Oczywiście ta wartość podawana
jest przy prądzie 1A podanym przez krótki czas, np 100us. Nadal
poszukuję IR TX LED, FV: 2V (przy 100mA), ok 50mW/Sr, wiązka 160 stopni
Andrzej Ekiert
Guest
Guest
Thu Aug 16, 2007 10:21 am
A n g l e r napisał(a):
Quote:
Znastanawiam się nad realizacją prostego step-up konwertera, który
podbije napięcie z bateryjek 2x1,2V do 3V (może 3,2V) i myślę nad logiką
sterującą kluczem wykonaną na prostym PICu 10F200 (ok 70-80 groszy
hurt).
podbije napięcie z bateryjek 2x1,2V do 3V (może 3,2V) i myślę nad logiką
sterującą kluczem wykonaną na prostym PICu 10F200 (ok 70-80 groszy
hurt).
Przeczytaj sobie poniższy dokument - co prawda zawiera głównie idee
projektowe, bez wdawania się w szczegóły, ale może nasunie Ci jakieś
pomysły.
http://www.ekiert.com/technical/lighting_appnote.pdf
Pozdrawiam,
Andrzej
A n g l e r
Guest
Guest
Thu Aug 16, 2007 11:38 am
Quote:
Przeczytaj sobie poniższy dokument - co prawda zawiera głównie idee
projektowe, bez wdawania się w szczegóły, ale może nasunie Ci jakieś
pomysły.
projektowe, bez wdawania się w szczegóły, ale może nasunie Ci jakieś
pomysły.
Dzięki, to właśnie kierunek w którym chciałem iść. I tak może
wygospodaruję jakeś wolne PWM i komparator z głównego uC, więc to by
"nie kosztowało".
A co sądzicie o rozwiązaniach, gdzie generator częśt. jest na
tranzysorze a ta stabilizuje się sama, np:
http://home.scarlet.be/~tsd47483/index.html
Mi się wydaje, że coś takiego może nieźle siać a w widmie wszystkie
częstotliwości - acz znów - nie analizowałem bardzo dokładnie tego i
może to nie takie złe rozwiązanie?
Dzęki.
A n g l e r
Guest
Guest
Fri Aug 17, 2007 2:01 pm
Quote:
Detal drobny - MOSFET otwierający się dobrze przy 2V. Masz więcej
mądrych pytań?
mądrych pytań?
Si1012R/X (0.75ohm dla UGS=1.8V, IDS=0.5A, peak IDS=1A) ?
FDV303N (2ohms dla UGS=2V, IDS=0.8A, peak IDS=2A) ?
Max. prądy przyniskie, ale cenowo nadal ok $0.08 - no i otwierają się
dobrze przy UGS=2V (czy 0.75ohm to za wiele?)
RoMan Mandziejewicz
Guest
Guest
Fri Aug 17, 2007 2:09 pm
Hello A,
Friday, August 17, 2007, 3:01:46 PM, you wrote:
Quote:
Detal drobny - MOSFET otwierający się dobrze przy 2V. Masz więcej
mądrych pytań?
Si1012R/X (0.75ohm dla UGS=1.8V, IDS=0.5A, peak IDS=1A) ?
FDV303N (2ohms dla UGS=2V, IDS=0.8A, peak IDS=2A) ?
Max. prądy przyniskie, ale cenowo nadal ok $0.08 - no i otwierają się
dobrze przy UGS=2V (czy 0.75ohm to za wiele?)
mądrych pytań?
Si1012R/X (0.75ohm dla UGS=1.8V, IDS=0.5A, peak IDS=1A) ?
FDV303N (2ohms dla UGS=2V, IDS=0.8A, peak IDS=2A) ?
Max. prądy przyniskie, ale cenowo nadal ok $0.08 - no i otwierają się
dobrze przy UGS=2V (czy 0.75ohm to za wiele?)
Potrzebujesz prądu szczytowego rzędu 0.6A przy spadku napięcia
mniejszym niż 0.4V. Nawet Si1012 nie wyrabia.
--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl
Spam (rdzenie do przetwornic): http://www.allegro.pl/my_page.php?uid=7416823
elektroda NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Projektowanie step-up konwertera z PIC 10F200 do zasilania IR LED 200mA