Odpowiednik tranzystora BC548 w wersji MOSFET: tani, powszechnie dostępny w SMD?

Mon Sep 14, 2015 2:47 pm   

Użytkownik "J.F." <jfox_xnospamx@poczta.onet.pl> napisał w wiadomości
news:55f6a122$0$4769$65785112@news.neostrada.pl...


Ale znacznie mniej jak 0,6V.
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC847_SER.pdf
Fig 7(dla BC847B), linia (2), przy 50mA wychodzi coś koło 120mV (przy
Ic/Ib=20, czyli Ib=2,5mA)

Nie używam małych MOSów, ale coś podejrzewam, że na jakimś takim na 100mA
przy 50mA może być wyższy spadek.


Co to jest 2,5mA gdy obciążenie bierze 50mA. Sławek martwi się o moc w
czasie wyłączenia a nie włączenia.
P.G.

Mon Sep 14, 2015 2:52 pm   

W dniu 2015-09-14 o 16:47, Piotr Gałka pisze:

Co to znaczy mały MOS?
Na przykład IRF 7210 w obudowie SO8 ma 7 miliomów.
:-)

P.P.

Mon Sep 14, 2015 3:31 pm   

Użytkownik "Paweł Pawłowicz" <paw-p@wnoz.up.wroc [kropka] pl> napisał w
wiadomości news:55f6df2e$0$27522$65785112@news.neostrada.pl...

P.G.

Mon Sep 14, 2015 3:55 pm   

W dniu 2015-09-14 o 17:31, Piotr Gałka pisze:

Biorąc pod uwagę, że przy 1A wydzieli się na nim 7mW to 70C jest
kosmiczną temperaturą.

Pozdrawiam,
Paweł

Mon Sep 14, 2015 6:04 pm   

Użytkownik "Paweł Pawłowicz" <paw-p@wnoz.up.wroc [kropka] pl> napisał w
wiadomości news:55f6eddb$0$27515$65785112@news.neostrada.pl...

jakąś chwilkę włącza się obciążenie rzędu 50mA) to wydzielana w tym czasie w
tranzystorze moc ma się nijak do temperatury w czasie kiedy upływność nas
interesuje. Nie chodzi przecież akurat o te 70st tylko, że to co się w
przypadku małego tranzystora (o znamionowym prądzie rzędu 100mA) wyraża w nA
dla tranzystorów zaprojektowanych do przełączania solidnych amperów wyraża
się w uA.
Pytający głównie martwił się o straty w czasie wyłączenia więc te miliomy są
zdecydowanie mniej interesujące od tych mikroamperów.
P.G.

Tue Sep 15, 2015 4:24 am   

On Mon, 14 Sep 2015 12:08:30 +0200, Piotr
Gałka<piotr.galka@cutthismicromade.pl> wrote:

Katalogowe Vce(Sat) max. Z drugiej strony Rds(on) rzędu miliomów jest
osiągalne dla MOSFET-ów. Z trzeciej strony BS170 ma całe 5 omów.

Tue Sep 15, 2015 8:19 am   

Użytkownik "slawek" <fake@fakeemail.com> napisał w wiadomości
news:almarsoft.5794096525199293345@news.v.pl...

Głowy nie dam, ale wydaje mi się, że definicją pracy w nasyceniu jest
Vce<=Vbe. Vbe oczywiście jest rzędu 0,6...0,7V. Jak tranzystor jest
wysterowany jakimś prądem bazy i stopniowo zwiększamy mu prąd kolektora to
Vce stopniowo rośnie i cały czas się nazywa Vce(Sat) aż do momentu, gdy
przekroczy Vbe. Czyli maksymalną wartością Vce(Sat) jest Vbe.

Przy Ic/Ib=20 i dla Ic rzędu 10..50mA nie spodziewałbym się większego Vce
niż 0,15...0,2V. Jako klucze stosowało się kiedyś tranzystory w układzie
inwersyjnym (kolektor zamieniony z emiterem). Wtedy daje się osiągnąć spadki
napięcia rzędu pojedynczych mV, ale dotyczy to mniejszych prądów kolektora
(emiter pełni funkcję kolektora) i wysterowania bazy prądem większym od
prądu kolektora.


Albo rybka, albo akwarium. Albo znikome prądy upływu, albo znikome Rds.
Prawie na pewno prądy upływu będą Cię bardziej interesowały. Nie mam pojęcia
jak to jest w praktyce. Karty katalogowe mogą podawać wartości max bardzo
asekuracyjnie. Porób sobie eksperymenty. Nie wiem, czy rozrzuty między
sztukami (np. z różnych serii) nie są duże. Jakbym miał mierzyć, domowym
sposobem, znikome prądy to pewnie bym kombinował z dużym rezystorem +
wtórnik na wzmacniaczu FET, albo z układem całkującym też na FET. Pamiętając
o tym tranzystorze co ktoś tu podał warto pomiary zrobić też po podgrzaniu
układu (nie wiadomo, czy w czasie pracy nie znajdzie się w ciepłym
środowisku (np. czarna obudowa na słońcu)).
P.G.