Alternatywa dla P-MOSFET BSS84: Tranzystor bez diody w strukturze do aplikacji OTG

Wed Jan 03, 2018 8:38 pm   

W projekcie pewnego układu z rozpędu zastosowałem P-MOSFET typu BSS84.
Dopiero po fakcie zorientowałem się, że ma on w swojej strukturze diodę
zabezpieczającą. W tym wypadku może być to problemem, bo tranzystor
znajduje się pomiędzy linią zasilania 5V i linią VBUS gniazdka micro
USB. Jest kluczowany przez osobną linię VBUSON. Interfejs USB ma
pracować w trybie OTG.

Zadaniem tranzystora jest dbanie, aby:
1) Na gniazdku nie występowało napięcie 5V, gdy nic ne jest do niego
podłączone - tu nie ma problemu.
2) Na gniazdku pojawiało się napięcie, gdy zostanie podłączone
urządzenie - tu też wszystko jest ok.
3) Linia VBUS nie miała połączenia z zasilaniem, gdy interfejs pracuje w
trybie klienta i jest podłączony do zewnętrznego hosta - tutaj dioda
może łączyć te dwie linie.
Czy może to być wielkim problemem?

Istnieje jakiś tranzystor bez tej diody, aby w sytuacji opisanej w
punkcie 3 między liniami występowała wysoka rezystancja?

Wed Jan 03, 2018 9:26 pm   

W dniu 03.01.2018 o 20:38, Atlantis pisze:

Znaczy się chcesz mosfeta bez pasożytniczej diody? No to będzie trudno...

--
Pozdrawiam
Jakub Rakus

Wed Jan 03, 2018 9:29 pm   

W dniu 03.01.2018 o 20:38, Atlantis pisze:


Nie. Po prostu połącz dwa P-MOSy szeregowo (źródłami lub drenami do
siebie), albo użyj specjalizowane układu do włączania zasilania. Takie
układy mają przy okazji sygnalizację/zabezpieczenie przed przeciążeniem
linii 5V.

Thu Jan 04, 2018 12:15 am   

Atlantis wrote:


Nie istnieje, bo ta "dioda" to jego nieusuwalny element
konstrukcyjny, a nie żaden dodatek. To jest efekt zwarcia
podłoża ze źródłem. *Bardzo rzadko* daje się znaleźć
MOSFETy czterokońcówkowe, z wyprowadzonym podłożem, gdzie
podłoże łączy się z punktem o najwyższym potencjale w układzie
i wtedy dioda "znika". Standard w układach scalonych, rzadkość
w elementach dyskretnych.

Pozdrawiam, Piotr

Thu Jan 04, 2018 9:06 am   

On 03.01.2018 21:29, Zbych wrote:


Pod jakim hasłem powinienem szukać w ofercie sklepów? Ewentualnie możesz
polecić jakiś konkretny model? Wiem, że są regulatory napięcia z pinem
EN, ale to mnie specjalnie w tej chwili nie ratuje.

Thu Jan 04, 2018 12:44 pm   

On 2018-01-04 00:15, Piotr Wyderski wrote:

takie?


https://alltransistors.com/pdfview.php?doc=smy50_smy51_smy52_smy60_u105d.pdf&dire=_gdr


Włodek

Thu Jan 04, 2018 4:15 pm   

On 03.01.2018 21:29, Zbych wrote:

Nie jestem pewien, czy dobrze to interpretuję. MOSFET przewodzi tylko w
jedną stronę, więc przy takim połączeniu tylko jeden tranzystor będzie
przewodził, na drugiej połówce elementem przewodzącym będzie dioda.
Dobrze to rozumiem?
Bo w takim wypadku będę miał do czynienia ze spadkiem napięcia. Na dobrą
sprawę potrzebuję przepływu prądu tylko w jednym kierunku (od 5V
zasilania do VBUS), więc mógłbym tam wstawić diodę. Nie jestem jednak
pewien, czy nawet po zastosowaniu diody Schottky spadek nie będzie za
duży, żeby zasilić urządzenie USB (głównie PenDrive'a).

Jaki spadek napięcia występuje na tych diodach w strukturze MOSFET?
Standardowe 0,7V?

Thu Jan 04, 2018 6:09 pm   

Hello Atlantis,

Thursday, January 4, 2018, 4:15:34 PM, you wrote:


Źle. MOSFET przewodzi w obie strony i jest to dość powszechnie
wykorzystywane np. w prostownikach synchronicznych.

[...]

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

Thu Jan 04, 2018 6:21 pm   

W dniu 2018-01-04 o 16:15, Atlantis pisze:

MOSFET to w pewnym sensie rezystor sterowany potencjałem na odizolowanej
od niego bramce. I tak jak rezystor przewodzi w obie strony.

Jak źródła połączysz ze sobą i bramki ze sobą i wysterujesz bramki
względem źródeł aby włączyć to włączysz oba. Jak wysterujesz na
wyłączenie to wyłączysz oba i zostaną same diody pasożytnicze -
połączone szeregowo-przeciwsobnie.
P.G.

Fri Jan 05, 2018 12:21 am   

Włodzimierz Wojtiuk wrote:


Tak. Kiedyś znalazłem też MOSFET mocy z wyprowadzonym podłożem. Cały
jeden w ofercie kilku tysięcy modeli. Wyjątkowo egzotyczna rzecz, ale
warto mieć świadomość jego istnienia. Tak jak zubożonego MOSFETa P.

Pozdrawiam, Piotr

Fri Jan 05, 2018 1:58 pm   

użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:



I zdaje się w zabezpieczeniach przed odwrotnym podłączeniem zasilania.
Patrzę na schemat i p-mosfet normalnie jest podłączany źródłem do V+, w tej aplikacji zaś jest podłączony odwrotnie niż zawsze.
figure 3.
http://www.ti.com/lit/an/slva139/slva139.pdf Dren do V-
https://www.maximintegrated.com/en/tarticle/images/TA11Fig05.gif

Nigdy by mi do głowy nie przyszło że mosfeta można podłączyć odwrotnie.

Fri Jan 05, 2018 1:58 pm   

Użytkownik "Bytomir Kwasigroch" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:bf3299af-b0ca-4dcb-8bdc-67a320ea3573@googlegroups.com...
użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

Ale nie jest do V- tylko prawie do V+, dzieki czemu gnd/V- na bramce
daje odpowiednie napiecie Ugs do otwarcia.
Choc tak naprawde to to napiecie pojawia dzieki tej wewnetrznej
diodzie, bo gdyby nie ona, to istotnie zrodlo byloby na V- (przez
obciazenie).

Za to przewodzi prad w odwrotna strone, niz sie przyjęło - jak to
RoMan pisal - Mosfet w obie strony przewodzi.
Zreszta bipolarny tez, tylko ma to dodatkowe konsekwencje.

J.

Fri Jan 05, 2018 2:04 pm   

Dren do V+