Jak udowodnić analitycznie wpływ napięcia progowego MOSFET na napięcie wyjściowe RL?

Sun Sep 26, 2010 10:45 am   

Cześć.
Jest taki schemat z tranzystorem MOSFET
http://www.fotosik.pl/pokaz_obrazek/b7cf81f2412064c5.html

Napięcie na RL czyli wyjściowe jest pomniejszone o napięcie progowe
tranzystora.
Niby to oczywiste bo aby pojawiło się napięcie na RL to tranzystor
musi być otwarty
Ale proszę wytłumaczcie mi to jak to analitycznie, jak to udowodnić ze
tak musi być?

Sun Sep 26, 2010 10:45 am   

On Sun, 26 Sep 2010 01:45:14 -0700 (PDT), slawek7 wrote:

Bierzesz karte katalogowa tego tranzystora, zakladasz konkretna
rezystancje wyjscia [ha ha - a co jesli bedzie nieliniowe] i sobie z
wykresow odszukujesz ile sie tam ustali.

Mosfety maja to progowe gorzej okreslone ale tez dosc wysokie,


J.

Sun Sep 26, 2010 12:01 pm   

W dniu 2010-09-26 10:45, slawek7 pisze:

Przybliżone wzory na prąd drenu:
http://pl.wikipedia.org/wiki/MOSFET
I powinno dać się wykazać.

--
Pozdrawiam,
Andrzej

Sun Sep 26, 2010 4:52 pm   

Raczej chodzi mi o wytłumaczeni skąd się bierze to że podłączając
bramkę tak jak na tym rysunku napięcie wyjściowe będzie pomniejszone o
to napięcie progowe tranzystora

Sun Sep 26, 2010 6:17 pm   

W dniu 2010-09-26 10:45, slawek7 pisze:

Napięciowe prawo Kirchoffa?
- Załóżmy Uwe <= U_progowe. Uwy = 0. (prąd nie płynie)
- Uwe = U_progowe. Uwy nadal 0. (prąd dopiero zacznie płynąć)
- Uwe > U_progowe.
- napięcie na bramce = Uwe.
- napięcie między bramką a źródłem = U_progowe
- napięcie na RL = Uwe - U_progowe.

Pozdrawiam,

Piotr

Sun Sep 26, 2010 6:17 pm   

On Sun, 26 Sep 2010 07:52:28 -0700 (PDT), slawek7 wrote:

Otwarcie tranzystora zalezy od napiecia bramka-zrodlo.

Gdyby ten tranzystor byl calkowicie otwarty, to potencjal zrodla bylby
prawie rowny napieciu zasilania i Ugs byloby bliskie zeru - a to
przeciez znaczy ze tranzystor jest zamkniety.

Wytwarza sie wiec rownowaga - potencjal zrodla bedzie o tyle mniejszy
od potencjalu bramki, ze tranzystor otworzy sie na tyle zeby
przepuscic prad niezbedny do wytworzenia takiego wlasnie potencjalu
zrodla :-)

W tranzystorach bipolarnych sprawa jest w miare prosta - zlacze p-n
jest silnie nieliniowe i dla krzemu to napiecie wynosi praktycznie
0.6-0.7V.

W tranzystorach polowych sprawa jest bardziej skomplikowana.
Zlaczowe [FET, JFET] sa otwarte przy Ugs=0. Trzeba dopiero ujemnego
napiecia na bramce [wzgledem S] zeby je zablokowac. Podobnie zachowuja
sie lampy elektronowe.

MOSFET potrafia byc w wersji "zubażanej" [depletion mode].
One przy Ugs=0 sa polowicznie otwarte, i mozna je sterowac w obie
strony.

Wiekszosc mosfetow jest jednak w wersji "wzbogacanej", gdzie do
otwarcia jest wymagane pewne napiecie, nawet calkiem spore bo kilka do
kilkunastu woltow do pelnego otwarcia.

J.

Mon Sep 27, 2010 11:43 am   

Użytkownik J.F. napisał:

Mylisz się. Zależy od napięcia bramka - podłoże, źródło w ogólnym
przypadku nie ma obowiązku być na potencjale podłoża byleby nie
nastąpiło otwarcie złącza źródło - podłoże. Czasami wręcz stosuje się
dodatkowe sterowanie potencjałem podłoża jako substytutu drugiej bramki.

--
Darek

Mon Sep 27, 2010 1:03 pm   

Użytkownik ""Dariusz K. Ładziak"" <dariusz.ladziak@neostrada.pl>
napisał
Użytkownik J.F. napisał:

A da sie gdzies jeszcze dostac tranzystory z wyprowadzonym podlozem
?

J.

Mon Sep 27, 2010 9:56 pm   

Użytkownik J.F. napisał:

Wewnątrz układu scalonego jak potrzebuję to mam...

To że ktoś źródło z podłożem zwarł to jest chwilowa zaszłość a nie
zasada ogólna.

--
Darek

Tue Sep 28, 2010 3:39 pm   

Dziękuję za pomoc.
Mam jeszcze jedą prośbę. W tranzystorach MOSFET istnieje dioda.
Podobno pasożytnicza.
Możecie mi powiedzieć jak to na prawde z nią jest? Jakie ma parametry
taka dioda, prąd napięcie? Czy to jest taka dioda krzemowa zwykła, czy
ma właściwości diody zenera.
Spotkałem różne opinie i różne zdania o tej diodzie. A skąd ona się
bierze w tranzystorze?

Tue Sep 28, 2010 3:44 pm   

Dziękuję za pomoc.
Mam jeszcze jedą prośbę. W tranzystorach MOSFET istnieje dioda.
Podobno pasożytnicza.
Możecie mi powiedzieć jak to na prawde z nią jest? Jakie ma parametry
taka dioda, prąd napięcie? Czy to jest taka dioda krzemowa zwykła, czy
ma właściwości diody zenera.
Spotkałem różne opinie i różne zdania o tej diodzie. A skąd ona się
bierze w tranzystorze?

Tue Sep 28, 2010 5:53 pm   

Użytkownik "slawek7" <sholojda@wp.pl> napisał w

No masz
http://en.wikipedia.org/wiki/Power_MOSFET#Body_diode

rys 1 i 4.

Jak sie S laczy z podlozem [bo tak chcemy], to powstaje zwykle
zlacze p-n.


Niektorzy doradzaja uzycie jednak zewnetrznej diody.


No wiesz - to trudno odroznic.
Diody Zenera na napiecie wyzsze od ~6V pracuja na przebiciu
lawinowym, i w zwyklych diodach to tez ma miejsce :-)

Tak czy inaczej - jak tranzystor ma 100 czy wiecej V, to nie
spodziewaj sie ze ta dioda przebije przy mniejszym napieciu.

J.

Wed Sep 29, 2010 6:35 am   

Prąd diody maksymalny jest często opisywany w dokumentacjach tranzystorów i
zwykle jest porównywalny z prądem drenu maksymalnym, chociaż nie wiem jakim
cudem
Przykładowo IRLR3114Z:
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 130A

Continuous Source Current (Body Diode) 130A

Diode Forward Voltage max 1,3V@42A

--

Pozdr

EM