Górski Adam
Guest
Wed Feb 25, 2009 9:29 am
Witam,
Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego
egzemplarza?
Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds max
lub Id max ?
Na podstawie schematu nie da sie ustalic co moze byc przyczyna.
Mosfet pracuje jako klucz DC z praktycznie zerowa f.
Adam
Grzegorz Kurczyk
Guest
Wed Feb 25, 2009 10:47 am
Użytkownik Górski Adam napisał:
Quote:
Witam,
Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego
egzemplarza?
Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds max
lub Id max ?
Przekroczenie Ugs najczęściej kończy się przebiciem izolacji bramki i
zwarciem (upływnością) bramka-źródło. Analogicznie przekroczenie Uds
kończy się często przebiciem źródło-dren. Przekroczenie Id zazwyczaj
doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika
lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np.
początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie
(zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd
zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.
Pozdrawiam
Grzegorz
Górski Adam
Guest
Wed Feb 25, 2009 10:51 am
Grzegorz Kurczyk pisze:
Quote:
Użytkownik Górski Adam napisał:
Witam,
Jak rozponac przyczyne uszkodzenia MOSFET-a na podstawie uszkodzonego
egzemplarza?
Czy efekt przekroczenia np Ugs max bedzie inny od przekroczenia Uds
max lub Id max ?
Przekroczenie Ugs najczęściej kończy się przebiciem izolacji bramki i
zwarciem (upływnością) bramka-źródło. Analogicznie przekroczenie Uds
kończy się często przebiciem źródło-dren. Przekroczenie Id zazwyczaj
doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika
lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np.
początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie
(zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd
zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.
Tak , dokładnie tak. Chciałem się upewnić.
Adam
entroper
Guest
Wed Feb 25, 2009 1:28 pm
Użytkownik "Grzegorz Kurczyk" <grzegorz@antispam.control.slupsk.pl> napisał
w wiadomości news:go34ie$qvd$1@nemesis.news.neostrada.pl...
Quote:
Przekroczenie Id zazwyczaj
doprowadza do cieplnego przeciążenia kanału i "upaleniu" półprzewodnika
lub połaczeń między strukturą a ażurem obudowy. Inna sprawa, że np.
początkowa przyczyna w postaci przekroczenia Uds spowoduje przebicie
(zwarcie) tranzystora i jeśli w obwodzie nie ma czegoś co ograniczy prąd
zwarciowy, to w konsekwencji nastąpi "upalenie" kanału.
Zwykle jednak coś ogranicza prąd zwarciowy i efektem jest miejscowe
stopienie struktury bez upalenia doprowadzeń. Tranzystor ma zwarte wszystko
ze wszystkim a przyczyn może być naprawdę wiele. Może być przekroczenie Uds,
za duży prąd obciążenia ale może być też wejście w pracę liniową przez
nieprawidłowe sterowanie (np. za małe Ugs), co również doprowadza do
uszkodzenia przez przegrzanie.
e.