Guest
Wed Mar 19, 2014 11:27 am
Czesc,
w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy drenem a zrodlem wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla deklarowanego dopuszczalnego napiecia UDSmax=4,5kV? Dla porownania STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?
Pozdrawiam,
Maciek
Stasiek_T
Guest
Wed Mar 19, 2014 11:27 am
W dniu 2014-03-19 10:47, RoMan Mandziejewicz pisze:
Quote:
Hello Fornes,
Wednesday, March 19, 2014, 10:27:13 AM, you wrote:
w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy
drenem a zrodlem wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla
deklarowanego dopuszczalnego napiecia UDSmax=4,5kV? Dla porownania
STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?
W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
(brak kurzu i wilgoci).
Odporność na kurz, wilgoć itp. można poprawić przez hermetyzację
(zalanie żywicą) czy pokrycie lakierem.
RoMan Mandziejewicz
Guest
Wed Mar 19, 2014 11:27 am
Hello Fornes,
Wednesday, March 19, 2014, 10:27:13 AM, you wrote:
Quote:
w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy
drenem a zrodlem wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla
deklarowanego dopuszczalnego napiecia UDSmax=4,5kV? Dla porownania
STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?
W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
(brak kurzu i wilgoci).
--
Best regards,
RoMan
Nowa strona:
http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)
Guest
Wed Mar 19, 2014 12:21 pm
W dniu środa, 19 marca 2014 10:47:08 UTC+1 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:
Quote:
Hello Fornes,
W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie
odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach
(brak kurzu i wilgoci).
Całość będę chciał polakierować właśnie dla lepszej izolacji ślizgowej.
Napięcie do 3,5kV, ale 4,5kV traktuje jako napięcie "obliczeniowe" izolacji.
Pomyślałem też, że może wyfrezowanie w płytce otworu odsłaniającego część padu drenowego a następnie polakierowanie go już po zmontowaniu poprawi sytuację. Co o tym myślicie?
Ciekawostka, tutaj:
http://ixapps.ixys.com/DataSheet/4500V_MOSFETs.pdf
producent tegoż tranzystora chwali się odległością 9,6mm dla obudowy TO-268HV, ale jest to odległość między bramką za źródłem.
Maciek
Quote: