Pawel
Guest
Tue Dec 19, 2006 2:52 pm
Witam
Pewnie trochę lamerskie pytanie.
Po co do bramki mosfetów daje się szeregowo rezystor?
Przecież one nie pobierają prądu więc nie ma potrzeby jego ograniczania.
Dziękuję za pomoc
Paweł
Waldemar
Guest
Tue Dec 19, 2006 3:05 pm
Pawel schrieb:
Quote:
Witam
Pewnie trochę lamerskie pytanie.
Po co do bramki mosfetów daje się szeregowo rezystor?
Przecież one nie pobierają prądu więc nie ma potrzeby jego ograniczania.
pobierają w momencie przełączania. Mają słuszną pojemność.
Waldek
Ukaniu
Guest
Tue Dec 19, 2006 3:11 pm
Użytkownik "Waldemar" <waldemar@zedat.fu-berlin.de> napisał w wiadomości
news:4uq9sgF18ubgnU2@mid.uni-berlin.de...
Quote:
pobierają w momencie przełączania. Mają słuszną pojemność.
To raz, że ogranicza się prąd przeładowania - aby udary nie nadwerężały
tranzystorów sterujących. Dwa wstawia się je aby wyeliminować możliwość
wzbudzenia w.cz.
Pozdrawiam Łukasz
RoMan Mandziejewicz
Guest
Tue Dec 19, 2006 5:33 pm
Hello Pawel,
Tuesday, December 19, 2006, 2:52:31 PM, you wrote:
Quote:
Pewnie trochę lamerskie pytanie.
Po co do bramki mosfetów daje się szeregowo rezystor?
Bo tak trzeba. Poważniej: żeby układy nie wzbudzały się przy zbyt
szybkiej pracy.
Quote:
Przecież one nie pobierają prądu więc nie ma potrzeby jego ograniczania.
A skąd pomysł, że nie pobierają? Drivery MOSFETów miewają
kilkuamperową wydajność.
--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl
mk
Guest
Tue Dec 19, 2006 5:40 pm
Newsuser "Pawel" <paw1976@poczta.onet.pl> wrote:
Quote:
Pewnie trochę lamerskie pytanie.
Po co do bramki mosfetów daje się szeregowo rezystor?
Przecież one nie pobierają prądu więc nie ma potrzeby jego ograniczania.
Pobierają - w momencie przełączania.
Najważniejsze powody to:
- ograniczenie szybkości narastania prądu drenu (ograniczenie zakłóceń
elektromagnetycznych, zbyt szybkie przełączenie może uszkodzić tranzystor -
patrz parametr dopuszczalna szybkość narastania prądu);
- pojemności bramkowe i indukcyjności rozproszone tworzą obwód rezonansowy,
będący przyczyną przepięć, drgań (dzwonienie), które mogą być niekorzystne
zarówna na obwód sterujący, sterowany, jaki i sam tranzystor - wprowadzenie
rezystancji powoduje wprowadzenie strat do tego obwodu, dzięki czemu drgania
są silnie wytłumione lub wyeliminowane;
- przeniesienie części strat energetycznych z obwodu sterującego bramką na
ten rezystor;
Polecam:
http://focus.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf
pzdr
mk