Jak zwiększyć stabilność napięcia wyjściowego 0-10V przy obciążeniu 100 w układzie DAC?

Mam takie wyjście napięciowe:
http://www.23928.stk.net.pl/pictures/misc/sch/load-oa/output-u.pdf

Układ sterowany z DAC 0-2V, wyjście x5 -> 0-10V

Przy dociążeniu przez 100R na wyjściu pojawia się ~9.5V czyli
dosyć mocno siada to napięcie.
Da się to jakoś podciągnąć, żeby wyjście pracowało w pełnym zakresie?

IMHO to juz jest podciagniete i nie powinno siadac.

Zmierz napecia w ukladzie przy obciazeniu, albo zacznij od:
-kolektor z emiterem nie zamieniony ?
-napiecie +24V obecne ?
-opamp z jakiego napiecia zasilany ? 24V czy 12V ?
-a moze przy obciazeniu napiecie zasilania DAC siada ?

Dobry tam radiator ? Bo to juz z 1.5W trzeba liczyc.

On 2016-02-15 22:42, J.F. wrote:
IMHO to juz jest podciagniete i nie powinno siadac.

Chyba znalazłem winowajcę, to wpięty w szereg amperomierz
odkładał to napięcie.

Dodatkowo mam jeszcze czujnik prądu
w obwodzie 1R. Wyrzuciłem to wszystko i jest teraz ok,
maksymalna zmiana to 40-50mV i w tym obwodzie do przyjęcia.

Na radiator nie ma niestety miejsca, zrobiłem tylko placek
miedzi na PCB i musi wystarczyć - taka obudowa, że jest gęsto.

Wg NXP jeśli miedzi na kolektorze jest 6cm2 to max moc jest 1,35W (pod

Dodatkowo mam jeszcze czujnik prądu
w obwodzie 1R. Wyrzuciłem to wszystko i jest teraz ok,
maksymalna zmiana to 40-50mV i w tym obwodzie do przyjęcia.

Na moj gust - troche za duza. Ten uklad powinien naprawde dobrze
stabilizowac.

Pod warunkiem, że coś się nie wzbudza (wtórnik potrafi mieć podobno ujemną

Użytkownik "J.F." <jfox_xnospamx@poczta.onet.pl> napisał w wiadomości
news:18ptfq3jcb28j.wvdqqx2xzw4q$.dlg@40tude.net...
Dodatkowo mam jeszcze czujnik prądu
w obwodzie 1R. Wyrzuciłem to wszystko i jest teraz ok,
maksymalna zmiana to 40-50mV i w tym obwodzie do przyjęcia.

Na moj gust - troche za duza. Ten uklad powinien naprawde dobrze
stabilizowac.

Pod warunkiem, że coś się nie wzbudza (wtórnik potrafi mieć podobno
ujemną rezystancję bazy).

Wg NXP jeśli miedzi na kolektorze jest 6cm2 to max moc jest
1,35W (pod warunkiem, że temperatura (wewnątrz obudowy ma
nie więcej jak 25stC), a Ty dajesz mu 1,4W.
Skoro jest gęsto to pewnie nie masz tam 6cm2 - pewnie bliżej
1cm2 dla którego jest 125K/W czyli dla 1,4W Tj=Ta+175K, a
dopuszczalna Tj jest 150stC.
Jak często tam będzie te 10V na wyjściu to szybko wysiądzie.

On 2016-02-16 11:00, Piotr Gałka wrote:
Wg NXP jeśli miedzi na kolektorze jest 6cm2 to max moc jest
1,35W (pod warunkiem, że temperatura (wewnątrz obudowy ma
nie więcej jak 25stC), a Ty dajesz mu 1,4W.
Skoro jest gęsto to pewnie nie masz tam 6cm2 - pewnie bliżej
1cm2 dla którego jest 125K/W czyli dla 1,4W Tj=Ta+175K, a
dopuszczalna Tj jest 150stC.
Jak często tam będzie te 10V na wyjściu to szybko wysiądzie.

Placek jest niestety tylko ~1.2cm2 ale te warunki są całkowicie
ekstremalne w tym układzie. Można powiedzieć, że praktycznie nigdy
nie wystąpią w dłuższym przedziale czasu. Wyjście będzie pracowało
w warunkach całkowicie optymalnych (max 10% z tych założeń).
Ostatecznie jest jeszcze szansa na przyklejenie czegoś małego
na górze obudowy.

On 2016-02-16 11:00, Piotr Gałka wrote:
Wg NXP jeśli miedzi na kolektorze jest 6cm2 to max moc jest
1,35W (pod warunkiem, że temperatura (wewnątrz obudowy ma
nie więcej jak 25stC), a Ty dajesz mu 1,4W.
Skoro jest gęsto to pewnie nie masz tam 6cm2 - pewnie bliżej
1cm2 dla którego jest 125K/W czyli dla 1,4W Tj=Ta+175K, a
dopuszczalna Tj jest 150stC.
Jak często tam będzie te 10V na wyjściu to szybko wysiądzie.

Placek jest niestety tylko ~1.2cm2 ale te warunki są całkowicie
ekstremalne w tym układzie. Można powiedzieć, że praktycznie nigdy
nie wystąpią w dłuższym przedziale czasu.

No to jeszcze pytanie, czy nie możesz zdjąć trochę z tych 24V?
Największa moc wydziela się akurat przy połowie zasilania.
Tobie wystarczyłoby jakieś 12V na kolektorze (nie wiem ile
musiałby dostać opamp, mogłoby mu odrobinę nie starczyć), co
dałoby max 0.36W w tranzystorze. Spora różnica. Ewentualnie
można dodać coś koło 50-70 omów w kolektorze, to też
zmniejszy moc na tranzystorze (i też skomplikuje sprawy
stabilności, choć niekoniecznie cokolwiek albo odczuwalnie
pogorszy).

Czyli mniej więcej 1cm2 więc można przyjąć te 125K/W.
Pytanie jaki przedział czasowy wystarczy tranzystorowi aby
się zepsuć jeśli temperatura struktury osiągnie 25+175=200,
gdy dopuszczalna jest 150. Przypuszczam, że to są sekundy.
Poza tym w takiej sytuacji bardzo szybko nagrzeje się
wnętrze obudowy i już po chwili nie będzie można przyjmować,
że temperatura otoczenia płytki wynosi 25 więc i temperatura
struktury odpowiednio wzrośnie.