J.F
Guest
Thu Jan 26, 2012 10:02 am
Zaczalem sie zastanawiac ... jak to jest ze w mosfecie dopuszczalne
Ugs jest na przyklad 20V, a Ugd 500V ?
Ksiazkowa konstrukcja jest dosc symetryczna - to skad roznice ?
J.
RoMan Mandziejewicz
Guest
Thu Jan 26, 2012 10:08 am
Hello J.F,
Thursday, January 26, 2012, 10:02:43 AM, you wrote:
Quote:
Zaczalem sie zastanawiac ... jak to jest ze w mosfecie dopuszczalne
Ugs jest na przyklad 20V, a Ugd 500V ?
Ksiazkowa konstrukcja jest dosc symetryczna - to skad roznice ?
Być może rzeczywista konstrukcja ma się jednak trochę inaczej do
książkowej...
--
Best regards,
RoMan mailto:roman@pik-net.pl
Nowa strona:
http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)
J.F
Guest
Thu Jan 26, 2012 11:23 am
Użytkownik "RoMan Mandziejewicz" napisał w
Hello J.F,
Quote:
Zaczalem sie zastanawiac ... jak to jest ze w mosfecie dopuszczalne
Ugs jest na przyklad 20V, a Ugd 500V ?
Ksiazkowa konstrukcja jest dosc symetryczna - to skad roznice ?
Być może rzeczywista konstrukcja ma się jednak trochę inaczej do
książkowej...
Niewatpliwie, tym niemniej jeszcze VMOS sa w ksiazkach opisane i
problem nadal widze, a w sumie - jakie by nie byly, to bramka musi byc
blisko kanalu, a w kanale pelny zakres napiec.
J.
Ukaniu
Guest
Thu Jan 26, 2012 11:55 am
Użytkownik "J.F" <jfox_xnospamx@poczta.onet.pl> napisał w wiadomości
news:jfr9im$1rm$1@inews.gazeta.pl...
Quote:
blisko kanalu, a w kanale pelny zakres napiec.
Tutaj jest trochę lepszy rysunek
http://en.wikipedia.org/wiki/Power_MOSFET
W książkach reprodukują bardzo mylące układy gdzie z lewej jest dren z
prawej źródło czy na odwrót a bramka na tym wszystkim leży.
Na rysunku z w.w. linku widać, że pod bramką jest nisko domieszkowany
obszar N połączony z drenem - rokład ładunku w tym obszarze przyjmuje na
siebie Uds i pod samą bramką nie występuje pełne napięcie drenu.
Przy otwieraniu tranzystora pod bramką zaczyna się tworzyć obszar
przewodzący prąd ale bliżej mu do żródła (poprzez jakieś Rdson) i napięcie
pod powierzchnią bramki też nie rośnie.
--
Pozdrawiam,
Łukasz