Piotr Gałka
Guest
Mon Sep 12, 2011 9:35 am
Użytkownik "identifikator: 20110701" <NOSPAMtestowanije@go2.pl> napisał w
wiadomości news:j4fqcq$na7$1@news.onet.pl...
Quote:
dzięki, ale zastosuję tego mosa...
Jak ma zabezpieczyć jedynie przed odwrotnym podłączeniem zasilania to jest
to być może dobre rozwiązanie.
Nigdy nie stosowałem, ale jakbym robił urządzenie zasilane jednym/dwoma
paluszkami i wybrana obudowa nie zabezpieczałaby mechanicznie przed
włożeniem ich odwrotni to rozważyłbym tego MOSa.
Z mojego punktu widzenia jest tu jednak pewne ale... - każdy dostępny dla
człowieka punkt staram się zabezpieczyć przed ESD.
Jak się ten MOS zachowa jak dostanie na wejście ujemny impuls 4 czy 8kV
według Human Body Model (naładowany 100pF podłączony przez 1k5) ?
Niektóre normy wymagają odporności zasilania DC urządzeń na Surge
(upraszczając dodatni/ujemny impuls 1kV 50us przez 40 ohm).
P.G.
identifikator: 20110701
Guest
Thu Sep 15, 2011 6:24 pm
a czy Ktoś mógłby mi przyponieć jak polaryzuje się MOS n i MOS p?
Piotr Gałka
Guest
Fri Sep 16, 2011 6:49 am
Użytkownik "identifikator: 20110701" <NOSPAMtestowanije@go2.pl> napisał w
wiadomości news:j4tfst$n7k$1@news.onet.pl...
Quote:
a czy Ktoś mógłby mi przyponieć jak polaryzuje się MOS n i MOS p?
Jak NPN i PNP
P.G.