Jak skutecznie skasować pamięć flash w/bez uszkodzenia? Metody skrajnych temperatur!

Thu Jan 18, 2007 7:53 pm   

Jak najłatwiej skasować bezpowrtonie pamięć flash?Czy -60 lub +400 stopni
celcjusza to uczyni?A może jest jakiś inny nieodwracalny spsób jej
skasowanie?

Thu Jan 18, 2007 8:03 pm   

Użytkownik "GigaFlops" <gigaflops.USUN_OD_KROPKI_DO_MALPY@@o2.pl> napisał w
wiadomości news:eoofme$870$1@news.dialog.net.pl...

Piotr

Thu Jan 18, 2007 8:27 pm   

W jaki sposób jak nie mam jej dokunetacji?



Użytkownik "Piotr" <piotrpitucha@poczta.onet.pl> napisał w wiadomości
news:eoog9s$p6j$1@news.onet.pl...

Thu Jan 18, 2007 8:28 pm   

Ojej. Kolega nowego posta zakłada tak lekkomyślnie...
Wystarczy zapisać ją 0x00 i potem 0xFF tyle razy ile wg autora da pewność.
Ze 2razy pewnie wystarczy.

A jak bez elektrycznego dostępu do urządzenia i bez niszczenia to ciężka
sprawa.... Może spora dawka Roentgena... albo promieniowania gamma. Tylko
nie wiem czy nie uszkodzi kości przy okazji.

Pozdrawiam
CosteC

Thu Jan 18, 2007 8:32 pm   

Użytkownik "Piotr" <piotrpitucha@poczta.onet.pl> napisał w wiadomości
news:eoog9s$p6j$1@news.onet.pl...

kasowanie nie jest bezpowrotne.
Aby było bezpowrotne na mus trzeba jakoś uszkodzić - zresztą już pytający
kombinuje jak można uszkodzić.
Może mikrofalówka ?
P.G.

Thu Jan 18, 2007 8:39 pm   

czyta.
się
głupio
końca
od
bo
kolei
po
pisał
byś
Może
GigaFlops schrieb:

poszukać dokumentacji.

Waldek

Thu Jan 18, 2007 8:40 pm   

CosteC schrieb:

ludzie, to nie jest nośnik magnetyczny. Jak w komórce pamięci jest 4711
i zapiszesz 5623, to z 4711 nic się nie ostało.

Waldek

Thu Jan 18, 2007 8:50 pm   

"Waldemar" 51a0ppF1j23udU4@mid.uni-berlin.de


Pewnie coś pozostało, ale takie coś, czego się nie da odczytać.
Jakiśtam ślad zapewne zostaje, gdyby nic nie zostawało -- byłyby
wieczne, a nie są.

--
.`'.-. ._. .-.
.'O`-' ., ; o.' leszekc@@alpha.net.pl '.O_'
`-:`-'.'. '`\.'`.' ~'~'~'~'~'~'~'~'~'~'~ o.`.,
o'\:/.d`|'.;. p \ ;'. . ;,,. ; . ,.. ; ;, .;. . .;\|/....

Thu Jan 18, 2007 9:23 pm   

GigaFlops wrote:


TP.

--
| _ _ _ |
| _____ _| |_| | __ (o) | | __ __ @poczta.onet.pl |
| | \ | | |o \| \| |/o |/ _\| \ |
| |_|_|_| \_| |__/|_| |_|\__|\__||_| Tomasz Piasecki |

Fri Jan 19, 2007 9:47 am   

Waldemar napisał(a):

Mierząc napięcie progowe tranzystora pamiętającego nawet po wielokrotnym
skasowaniu pamięci można odczytać jej zawartość.
Pytanie tylko, kto u nas jest w stanie przeprowadzić takie pomiary?
Myślę, że kilkakrotne skasowanie i zapisanie takiej pamięci powinno
zapewnić spokojny sen.
Jeśli chip nie jest obudowany, można spróbować potraktować go UV ale bez
żadnych gwarancji.


--
Pozdrawiam,
Andrzej

Fri Jan 19, 2007 10:01 am   

Andrzej W.(usun __nospam__) napisał(a):

Chcesz mi powiedzieć, że przerzutnik np. D na wyjściu ma ślad swojego
stanu z przed roku ??? Przecież ten tranzystor pamiętający zostaje
zapisany napięciem zera logicznego + napięcie szumu a napięcie
poprzedniego stanu nie ma kompletnie znaczenia.

Fri Jan 19, 2007 10:18 am   

"William" <william@null.pl> wrote in message
news:eoq1dr$234o$1@news2.ipartners.pl...


cyfrowka to tylko specyficzna odmiana analogowki...

Fri Jan 19, 2007 10:19 am   

dokladnie,
po 1 - to nie sa przerzutniki , pomylilo ci sie z SRAM
we flash zawartosc pamietana jest niejako w postaci analogowej, ladunkiem na
kondensatorze ktory jest przy okazji bramka tranzystora

Fri Jan 19, 2007 2:26 pm   

William napisał(a):

Greg Ci już poniekąd odpowiedział, ale skoro wywołałeś mnie do tablicy.
Kasowanie i programowanie to "siłowe" wpychanie i wyciąganie ładunku z
pływającej bramki.
Ładunek w takiej bramce po kasowaniu jest zupełnie inny gdy kasujemy
komórkę wcześniej zaprogramowaną a inny gdy ponownie kasujemy poprzednio
skasowaną komórkę. Trochę zagmatwałem. W obu jednak wypadkach ładunek
jest zawsze poniżej progu przełączania wzmacniacza odczytującego.
Analizując różnice ładunku pomiędzy poszczególnymi komórkami i
kombinując jeszcze z jej kasowaniem i programowaniem można się
dowiedzieć co w niej było poprzednio.


--
Pozdrawiam,
Andrzej

Fri Jan 19, 2007 2:55 pm   

IMHO "urban legend". Bramka gromadzi ładunek, to fakt. Ale w procesie
zapisu nie jest do niej "wpychany" ściśle określony ładunek tylko
przykładane pewne napięcie z jakiegoś rejestru (przerzutnika). I ładunek
jako zostanie zgromadzony w bramce zależy od jej pojemności oraz od
przyłożonego napięcia Q = U * C. Napięcie poprzednie nie ma znaczenia.
Dam ci do ręki kondensator który dołączyłem na chwilę do mojej baterii i
zadam pytanie "jakie miał napięcie przedwczoraj ?". Jesteś w stanie
odpowiedzieć ? Nie.