Co to są źródła zależne i jak je rozpoznać w modelach tranzystorów?

Sat Jan 09, 2016 7:05 pm   

https://en.wikipedia.org/wiki/Dependent_source
Co to jest?
Bateria to źródło niezależne, a zależne to czasami spotykam takie
oznaczenia w modelach tranzystorów.

Sat Jan 09, 2016 7:26 pm   

Dnia Sat, 9 Jan 2016 19:05:04 +0100, Ignacy napisał(a):

No przeciez pisze "whose value depends on a voltage or current
somewhere else in the network"



Przy czym te w modelach to w zasadzie nie zrodla.

J.

Sat Jan 09, 2016 7:47 pm   

W dniu 09.01.2016 o 19:26, J.F. pisze:

a co to oznacza? baterię z dużym wewnętrznym oporem?

Sat Jan 09, 2016 7:58 pm   

W dniu 2016-01-09 o 19:47, Ignacy pisze:

baterię zasilaną z innej baterii :)

a.

Sat Jan 09, 2016 9:19 pm   

Dnia Sat, 9 Jan 2016 19:58:56 +0100, Artur Miller napisał(a):

Zasilana to zle slowo.
Baterie, ktorej napiecie zalezy od napiecia w jakims calkiem innym
miejscu. Albo od pradu.
Albo zrodlo pradowe, o pradzie zaleznym od napiecia gdzies tam. Czy
pradu.

Taki np tranzystor mosfet - prad przepuszczany miedzy drenem a zrodlem
zalezy od napiecia miedzy bramka a zrodlem.
Co sie modeluje zrodlem pradowym miedzy D a S, sterowanym napieciem na
bramce.

J.

Sat Jan 09, 2016 10:25 pm   

W dniu 09.01.2016 o 21:19, J.F. pisze:

Tego nie za bardzo rozumiem, prąd między drenem z źródłem wynika ze
zmiennej rezystancji sterowanej napięciem na bramce. Gdyby to było
dodatkowe źródło zasilania, to było by możliwe napięcie większe niż ma
bateria i prąd większy niż wychodzi z baterii a zdaje się, tak nie ma.
Choć w układach elektrycznych jest możliwość zwiększenia napięcia przy
użyciu transformatorów - liczy się indukcyjność cewek? Będę musiał wziąć
się za podstawy.

Sun Jan 10, 2016 12:09 am   

Dnia Sat, 9 Jan 2016 22:25:03 +0100, Ignacy napisał(a):

Zobacz np BS170
www.fairchildsemi.com/datasheets/BS/BS170.pdf

Fig 1 - wykres pradu drenu w zaleznosci od napiecia Uds.
Przy roznych napieciach bramki.

Spojrz na linie przy Vgs=4V
Tam sa niejako dwa obszary, a nawet trzy.
Przy Uds ponizej ~0.7V prad zalezy niemal proporcjonalnie od napiecia.
A skoro tak, to mamy jakas rezystancje - wspolczynnik tej
proporcjonalnosci.
Ale powyzej 1.5V prad jest staly i niemal nie zalezy od napiecia Uds.
To nazywamy praca w trybie zrodla pradowego.

Popatrz na linie Vgs=5V. Napiecia graniczne sie zmienily, ale nie o to
chodzi. Nadal mamy obszar stalej rezystancji i obszar stalego pradu.
Rezystancja sie zmniejszyla, bo linia bardzej nachylona,
a prad wzrosl. Przy Vgs 3V widac glownie obszar stalego pradu

W ukladach przelaczajacych, przetwornicach, H-bridge itp - staramy sie
pracowac w pierwszym obszarze. Dajemy duze napiecie bramki, duzy prad
plynie juz przy nieduzym napieciu - a wiec tranzystor sie malo grzeje.

Ale np we wzmacniaczach sygnalow analogowych praca jest w drugim
obszarze - napiecia bramki sa nizsze, i jak widac - prad drenu zalezy
glownie od napiecia bramki, a nie napiecia drenu.
Czyli niejako mamy sterowane zrodlo pradowe.
Oczywiscie napiecie drenu musi byc odpowiednio wysokie.


Nie myl tych dwoch rzeczy. Prad drenu nie zalezy od napiecia drenu -
wiec mowimy: zrodlo pradowe. I takie jest na schemacie zastepczym.

Ale tak naprawde prad pochodzi z baterii. Tylko, ze przy analizie
zmiennosygnalowej to pomijamy, bo bateria ma napiecie stale.


transformator to skomplikowane bydle, lepiej w osobnym watku.

J.

Sun Jan 10, 2016 1:08 am   

Ignacy <nie.lubie@spamu.ignacy> wrote:

Wiesz, najpierw musisz zrozumiec ze masz rzeczywiste uklady
i modele matematyczne. Np. rzeczywisty uklad to mosfet ze
zrodlem podpietym do napiecia odniesienia (masy) i drenem
podpietym przez opornik do zasilania. W modelu matematycznym
zastepujesz mosfeta przez (liniowe) sterowane zrodlo pradowe. Ten
model matematyczny jest prosty, latwo mozna przeanalizowac
jego zachowanie. Ale zachowuje sie inaczej niz uklad
rzeczywisty. Jak parametry sa dobrze dobrane to roznice
moga byc pomijalne (w technice czesto 10% jest do
pominiecia). Ale przy duzej zmianie napiecia wejsciowego
uklad rzeczywisty i model zachowuja sie inaczej: w ukladzie
rzeczywitym (pomijajac ewentualne pojemnosci czy indukcyjnosci)
napiecie bedzie miedzy zerem a napieciem zasilania. Model
jest liniowy i na wyjciu mozesz miec dowolnie duze napiecie
czy zmiane znaku. Po prostu stosujac model do badania
ukladu rzeczywistego trzeba sobie zdawac sprawe czy
uproszczenia wprowadzone w modelu prowadza do akceptowalnej
dokladnosci. Jak nie to trzeba uzyc dokladniejszy model.
Np. mozesz potraktowac mosfet jako zrodlo nieliniowe.

Wracajac do zrodel: zrodlo napieciowe sterowane napieciem
to inaczej wzmaniacz idealny. W praktyce idealnego wzmacniacza
nie da sie zrobic, a dobre przyblizenia moga byc kosztowne.
W teorii wzmacniacz idealny latwo sie bada. A nieco
komplikujac model (np. uwzgledniajac nieliniowosc czy dodajac
elementy pasozytnicze) moze uzyskac dosc dobra zgodnosc
z ukladem rzeczywistym. To chyba wyjasnia dlaczego
sie uzywa zrodla napieciowe sterowane napieciem. Pozostale
rodzeje zrodel sa troche dla symetii teorii. Ale tez
dlatego ze np. tranzystory naturalnie sie modeluje z
uzyciem zrodel pradowych.

Przy budowie modeli zrodla sterowne to "tanie" (latwe do
zrozumienia) elementy do duzej funkcjonalnosci, wiec
sie nie dziw ze sa traktowane jako jedne z elementow
podstawowych.

Jeszcze jedno: pamietaj ze modeluje sie caly uklad. Ten
sam element w roznych ukladach moze miec rozne modele.

--
Waldek Hebisch