BUZ11 - Czy użycie radiatora jako połączenia z GND jest bezpieczne?

Fri May 15, 2015 11:58 am   

Panowie, takie pytanie mam: zgodnie z datasheetem, metalowe skrzydełko obudowy TO-220 w tranzystorze BUZ11 ma elektryczne połączenie z S. Z trywialnych przyczyn (ciasno na płytce) bardzo by mi pasowało zamiast prowadzić 5mm szerokości ścieżkę do tejże nogi tranzystora, wykorzystać w roli połączenia sam radiator, jedno i drugie ma być po prostu połączone z GND. Pytanie jednak: czy jest to dopuszczalne?

Fri May 15, 2015 11:58 am   

Hello Jarek,

Friday, May 15, 2015, 11:58:29 AM, you wrote:


Jesteś pewny, że nie z D?




--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

Fri May 15, 2015 11:58 am   

Jarek P. wrote:


Są w ogóle takie MOSFETy? Znane mi trójkońcówkowe zawsze mają dren
na blaszce, a czterokońcówkowe (z osobnym pinem dla podłoża) to
rzadkość i tam nie pamiętam, jak było.



W MOSFETach SMD to jest jedyny dostępny sposób wykonania
tego połaczenia, więc co miałoby się zmienić w przypadku
THT, skoro sam datasheet informuje o tym połączeniu?
Problem może być z samym połączeniem, bo jak zagwarantujesz
pewny styk? Tzn. ja wiem, że śrubką, ale czy będzie dostatecznie
pewny?

Pozdrawiam, Piotr

Fri May 15, 2015 11:58 am   

Hello Jarek,

Friday, May 15, 2015, 12:10:12 PM, you wrote:


Sorry, ale jedynie 90% stabilizatorów 78xx ma taba łączonego z masą.
Chyba 100% MOSFETów ma łączonego z drenem. Źródło to niekoniecznie
masa.


Oczywiście, że jest dopuszczalne. Na przykład w przetwornicach dużej
mocy, gdy łączysz dreny bezpośrednio do wyprowadzeń transformatora
toroidalnego, lepiej łączyć przez końcówkę lutowniczą do taba niż
przez cienką miedź na PCB. Wyprowadzenia na PCB stosujesz wtedy tylko
dołączenia snubbera.

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

Fri May 15, 2015 12:10 pm   

W dniu piątek, 15 maja 2015 12:01:54 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:

Ups... fakt, widać najpierw przeczytałem, że jest to z "czymś" podłączone, a potem z góry uznałem, że no z czymżeby innym, jak nie z elektrodą w 90% aplikacji łączoną z masą
Znaczy, w zasadzie nie było pytania. Ale, czysto teoretycznie (bo załóżmy, że gdzieś, kiedyś będzie to przydatne): jest takie połączenie dopuszczalne, czy nie?

Fri May 15, 2015 1:44 pm   

Jarek P. wrote:


Najlepiej, to kupić MOSFETy logic-level i sterować nimi z tych 5V,
co masz bezpośrednio. Wymaganą obciążalność prądową policzysz sobie
z pojemności bramki i wymaganego czasu włączania/wyłączania. Jak są
nieduże, to sobie nie zawracaj głowy.

"Dla bajeru" możesz kupić VND14NV04, to Ci sam sciągając bramkę do
masy powie, czy działa w trybie awaryjnym (temperatura/przeciążenie),
czy wszystko gra. :-)

Pozdrawiam, Piotr

Fri May 15, 2015 1:55 pm   

Hello Jarek,

Friday, May 15, 2015, 2:09:41 PM, you wrote:


Z jaką częstotliwością chcesz sterować tymi MOSFETami? Jeśli
niewielką, to bez żadnych driverów, bezpośrednio z wyjść CMOS.
Oczywiście MOSFETu LogicLevel.

Swoją drogą, przy tak niskim prądzie i napięciu aż się prosi o SO-8.
Na przykład Si4800BDY - dostępne w TME w cenie śmiesznej. Przy 3A dla
najgorszego przypadku wydzieli się w nich mniej niż 200mW.

--
Best regards,
RoMan
Nowa strona: http://www.elektronika.squadack.com (w budowie!)

Fri May 15, 2015 2:09 pm   

W dniu piątek, 15 maja 2015 12:23:20 UTC+2 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:


Dobra, wyszła moja ignorancja w temacie MOSFETów, trudno :)

Z rozpędu następne pytanie: do wykonania jest ośmiokanałowy driver PWM do sterowania LEDowym obciążeniem 12V, jakieś 3A na kanał. Jak najlepiej zrobić drivery do tych MOSFETów? Sterowane to ma być z procesora z logiką 5V. Podłączania żywcem do procesora przez oporniki trochę się obawiam, z kolei budowania pod każdym mosfetem typowego drivera z tranzystorów bipolarnych (po dwa-trzy tranzystory pod każdym mosfetem) wolałbym uniknąć. Czy da się do tego wykorzystać coś scalonego? Choćby coś w stylu ULN2803? A może są jakieś rozwiązania od razu wspierające sprzętowo PWMa?

Fri May 15, 2015 4:24 pm   

W dniu piątek, 15 maja 2015 15:44:58 UTC+2 użytkownik Piotr Wyderski napisał:


Sęk w tym, że mam w szufladzie trochę BUZ11 i myślałem, żeby je zużyć, stąd moje kombinacje.
Częstotliwość - nie za duża, tak, żeby mi LEDy oświetleniowe nie mrugały, czyli jakieś kiloherce zapewne.

Takie maleństwo jak to proponowane przez RoMana naprawdę by tu wystarczyło? Tak, wiem, że ze statycznych wyliczeń, biorąc pod uwagę prąd i rezystancję dren-źródło wychodzą śmieszne moce, ale czy przy PWM nie przeważą straty w powstające w czasie przełączania? Na "znanym forum elektronicznym" czytałem, że różnie z tym bywa właśnie.

Fri May 15, 2015 4:28 pm   

Jarek P. wrote:


Podany przeze mnie MOSFET kosztuje w sklepie AVT 7 zł, więc dla ośmiu
kanałów wychodzi 56 zł., a w zamian dostajesz końcówkę zabezpieczoną
przed zwarciem i przegrzaniem. Dalej chce Ci się kombinować?


Wystarczy nieduże kilkaset Hz.


Starty w MOSFEcie pochodzą z trzech źródeł: rezystancji źródło-kanał
tranzystora w pełni otwartego, przeładowania "kondensatora bramkowego",
którego ładunek w nanokulombach jest podany w datasheecie i strat
podczas przełączania, gdy tranzystor znajduje się w obszarze liniowym.
Na pierwsze nic nie poradzisz, na drugie owszem, ale przełączanie
rezonansowe to zupełnie nie ta liga, a na trzecie radą jest wydajny
prądowo driver.

Bez dedykowanego drivera tranzystor będzie się znajdował dłużej
w obszarze liniowym, niż by mógł, ale i tak będzie to drobny ułamek
okresu PWM. Możesz sobie to policzyć dokładnie znając wydajność
prądową pinów MCU, można tez "bezmyślnie" wymodelować to w LTSpice
-- zobaczysz wszystko na wykresie.


Nie idź absurdalnie wysoko z częstotliwością. Stawiam, że 200Hz wystarczy.

Natomiast Twój prawdziwy problem jest inny: masz 8 kanałów po 3A
każdy, więc zasilacz może dać 24A. To jest sporo prądu -- pomyślałeś
o dobrym zabezpieczeniu przeciwzwarciowym? Bo otwarcie się
niezabezpieczonego MOSFETu na świat wcale nie jest najgorsze,
skończyć się może na melodię "płonie ognisko w lesie"...

Pozdrawiam, Piotr

Fri May 15, 2015 4:40 pm   

Użytkownik "Piotr Wyderski" <peter.pan@neverland.mil> napisał w wiadomości
news:mj56r1$788$1@node1.news.atman.pl...


Wczytywałem się kiedyś w karty katalogowe (+ robiłem eksperymenty) z OmniFET
i nie zdecydowałem się sterować go z procesora pracującego na 3V3. Sądzę, że
większość sztuk zadziała dobrze, ale gwarancji nie ma. Na wszelki wypadek
przechodzę przez bufor zasilany z 5V.
P.G.

Fri May 15, 2015 7:04 pm   

Hello Jarek,

Friday, May 15, 2015, 4:24:12 PM, you wrote:


Przecież przełączasz mikroskopijne moce. Poza tym - Si4800 ma
Rdson=18.5m

Fri May 15, 2015 8:20 pm   

W dniu piątek, 15 maja 2015 18:28:18 UTC+2 użytkownik Piotr Wyderski napisał:


No jest to argument trudny do odparcia. Z drugiej strony są to też dodatkowe, kolejne zakupy i kolejne 56zł do wydania. Przemyślę to jeszcze..


Całość jest zasilana z zasilacza od PC, natomiast każdy kanał planowałem zabezpieczyć zwykłym bezpiecznikiem topikowym 3,15A.

Fri May 15, 2015 8:51 pm   

W dniu 2015-05-15 o 20:20, Jarek P. pisze:

http://www.tme.eu/pl/details/vnd810sp-e/drivery-uklady-scalone/st-microelectronics/#
masz dwa kanały po 3,5A każdy z zabezpieczeniami za niecałe 11 zł.

--
Pozdr

Janusz_K

Fri May 15, 2015 9:00 pm   

Hello Jarek,

Friday, May 15, 2015, 10:15:58 PM, you wrote:

[quote]Przecież przełączasz mikroskopijne moce. Poza tym - Si4800 ma
Rdson=18.5m