RTV forum PL | NewsGroups PL

Upływ w zatkanym PNP vs PMOS

NOWY TEMAT

elektroda.net NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Upływ w zatkanym PNP vs PMOS

Goto page 1, 2  Next

Adam Wysocki
Guest

Wed Mar 21, 2018 2:02 pm   



Cześć,

Buduję urządzenie, które będzie zasilane bateryjnie, i chcę zrezygnować z
wyłącznika. Procesor (zasilany na stałe, i na stałe uśpiony, wybudzany
przyciskami, pobór wg datasheeta poniżej 200 nA) będzie podawał napięcie
na resztę układu przez tranzystor.

Przeglądam datasheeta BC807, ale nigdzie nie widzę prądu upływu złącza CE,
gdy tranzystor jest zatkany. To jest gdzieś podawane? Standardowe? Da się
oszacować bez mierzenia choćby rząd wielkości? Może lepiej użyć pmosa? Czy
może info jest w datasheecie, tylko ja jestem ślepy?

Jestem w stanie uzyskać w ten sposób ułamki mikroampera?

Normalnie puściłbym zasilanie reszty przez przyciski, ale prąd jest trochę
za duży (tact swiche mają do 50 mA, tu będzie ok. 300 mA).

--
[ Email: a_at_b a=grp b=chmurka.net ]
[ Web: http://www.chmurka.net/ ]

Piotr Gałka
Guest

Wed Mar 21, 2018 2:02 pm   



W dniu 2018-03-21 o 13:02, Adam Wysocki pisze:
Quote:
Cześć,

Buduję urządzenie, które będzie zasilane bateryjnie, i chcę zrezygnować z
wyłącznika. Procesor (zasilany na stałe, i na stałe uśpiony, wybudzany
przyciskami, pobór wg datasheeta poniżej 200 nA) będzie podawał napięcie
na resztę układu przez tranzystor.

Przeglądam datasheeta BC807, ale nigdzie nie widzę prądu upływu złącza CE,
gdy tranzystor jest zatkany. To jest gdzieś podawane? Standardowe? Da się
oszacować bez mierzenia choćby rząd wielkości? Może lepiej użyć pmosa? Czy
może info jest w datasheecie, tylko ja jestem ślepy?

Jestem w stanie uzyskać w ten sposób ułamki mikroampera?

Normalnie puściłbym zasilanie reszty przez przyciski, ale prąd jest trochę
za duży (tact swiche mają do 50 mA, tu będzie ok. 300 mA).


Zajrzałem do TME jako źródła dojścia do różnych pdf.
W tym:
https://www.tme.eu/pl/Document/64cea35058ca125cd0865c7479df01d5/BC807-xx.pdf
jest Ices = 100nA max (dla 45V).

W innych:
https://www.tme.eu/pl/Document/443bea0044bb250f58448ece9d8ed297/bc807.pdf
https://www.tme.eu/pl/Document/ce670e859bea6cdf9f164f388d51af7f/BC807-16.215.pdf

Podają Icbo = 100nA max (dla 20V).

Przypuszczam, że jak emiter zwarty z bazą to prąd mniejszy niż jak
emiter open. Z tego chyba wynika, że Ices podają dla 45V a Icbo dla 20V.

Wysterowanie B na poziom zgodny z E to prawie ich zwarcie (szczególnie
jak mówimy o prądach w nA).

Sądzę, że praktycznie ten prąd będzie znacznie mniejszy od tych 100nA,
ale nie chcę strzelać ile.

Wydaje mi się, że PMOSy mają większe upływności.
P.G.

J.F.
Guest

Wed Mar 21, 2018 2:42 pm   



Użytkownik "Adam Wysocki" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:p8thkf$64l$1$gof_at_news.chmurka.net...
Quote:
Buduję urządzenie, które będzie zasilane bateryjnie, i chcę
zrezygnować z
wyłącznika. Procesor (zasilany na stałe, i na stałe uśpiony,
wybudzany
przyciskami, pobór wg datasheeta poniżej 200 nA) będzie podawał
napięcie
na resztę układu przez tranzystor.

Przeglądam datasheeta BC807, ale nigdzie nie widzę prądu upływu
złącza CE,
gdy tranzystor jest zatkany. To jest gdzieś podawane? Standardowe? Da
się
oszacować bez mierzenia choćby rząd wielkości? Może lepiej użyć
pmosa? Czy
może info jest w datasheecie, tylko ja jestem ślepy?
Jestem w stanie uzyskać w ten sposób ułamki mikroampera?

Jestes, nie jest podawany, bo IMO dla krzemowych, malych, w pokojowej
temperaturze i napieciu jest tak maly, ze trudny do zmierzenia.

Ale usiluje sobie przypomniec teorie dzialania tranzystora ... czy od
tego parametru nie zalezy masa innych parametrow ?

A moze w seryjnej produkcji to on wychodzi powtarzalnie, a mocno
losowo powstaja jakies defekty, ktore przepuszczaja sporo pradu
wstecznego, ale na dzialanie tranzystora nie maja wiekszego wplywu.

Ten prad zalezy tez od tego, czy baza odlaczona czy polaczona z
emiterem.

Quote:
Normalnie puściłbym zasilanie reszty przez przyciski, ale prąd jest
trochę
za duży (tact swiche mają do 50 mA, tu będzie ok. 300 mA).

To IMO:
-prad dosc duzy jak na baterie - trzeba jakies dobre/duze,
-trzeba dobrze wysterowac PNP, zeby sie nasycil. 30-60mA ... troche
szkoda tyle marnowac ...
-bedzie troche elementow dodatkowych ... pmos chyba prosciej wyjdzie.


J.

J.F.
Guest

Wed Mar 21, 2018 4:42 pm   



Użytkownik "Adam Wysocki" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:p8ttii$a46$2$gof_at_news.chmurka.net...
Quote:
Googlanie za "ices cutoff current" daje trochę wyników...
https://electronics.stackexchange.com/questions/296781/bjt-dc-leakage-ices-dependency-with-vce

Ale tu, na przykład, piszą:
https://www.jedec.org/standards-documents/dictionary/terms/collector-cutoff-current-base-short-circuited-emitter-ices

"For these parameters, the collector terminal is considered to be
biased
in the reverse direction when it is made positive for npn transistors
or
negative for pnp transistors with respect to the emitter terminal."

Trochę nie rozumiem, czemu uważają to za "reverse direction".
Przecież to
jest normalny kierunek przepływu prądu w tranzystorze (gdy tranzystor
jest
otwarty).

Moze dlatego, ze dioda kolektorowa jest wtedy spolaryzowana zaporowo.

A tranzystor moze akurat pracowac w odwrotnej polaryzacji - tzn mozna
zamienic kolektor z emiterem.
Wiec "normalny" kierunek to jest w normalnie uzytym tranzystorze :-)

J,

J.F.
Guest

Wed Mar 21, 2018 5:03 pm   



Użytkownik "Adam Wysocki" napisał w wiadomości grup
dyskusyjnych:p8tt6h$a46$1$gof_at_news.chmurka.net...
J.F. <jfox_xnospamx_at_poczta.onet.pl> wrote:
Quote:
Jestes, nie jest podawany, bo IMO dla krzemowych, malych, w
pokojowej
temperaturze i napieciu jest tak maly, ze trudny do zmierzenia.

To dobra wiadomość.

Quote:
Ale usiluje sobie przypomniec teorie dzialania tranzystora ... czy
od
tego parametru nie zalezy masa innych parametrow ?

Podejrzewam, że jakoś zależy... ale diabli wiedzą jak.

Tak mi chodzi po glowie, ze w teoretycznym wzorze diody duzo zalezalo
od wartosci pradu nasycenia.

Quote:
-prad dosc duzy jak na baterie - trzeba jakies dobre/duze,
2x AA.

IMO - to dosc sporo, jak na zwykle baterie. Czytaj - bedzie istotny
spadek.

Quote:
-trzeba dobrze wysterowac PNP, zeby sie nasycil. 30-60mA ... troche
szkoda tyle marnowac ...

Czemu aż tyle? Zakładałem z 10x mniej. hfe podają 100-600.

Ale nie w nasyceniu.
www.onsemi.com/pub/Collateral/BC807-16LT1-D.PDF

figurka 1 - przy 300mA mozesz liczyc na hfe ~150, ale przy Vce 1V.

figurka 2 - nasyca sie pieknie, przy 300mA mozna liczyc na ~0.15V Uce,
ale Ic/Ib =10.

Quote:
-bedzie troche elementow dodatkowych ... pmos chyba prosciej
wyjdzie.
Hmm, przy PMOS będzie ich mniej?
Mało który PMOS z kolei w pełni otworzy się przy tak niskim Ugs...

Ano niestety.

Sa fajne mosfety w ukladach zabezpieczajacych ogniwa li-ion .... ale
czy one nie sa N ...

J.

Adam Wysocki
Guest

Wed Mar 21, 2018 5:19 pm   



J.F. <jfox_xnospamx_at_poczta.onet.pl> wrote:

Quote:
Jestes, nie jest podawany, bo IMO dla krzemowych, malych, w pokojowej
temperaturze i napieciu jest tak maly, ze trudny do zmierzenia.

To dobra wiadomość.

Quote:
Ale usiluje sobie przypomniec teorie dzialania tranzystora ... czy od
tego parametru nie zalezy masa innych parametrow ?

Podejrzewam, że jakoś zależy... ale diabli wiedzą jak.

Quote:
A moze w seryjnej produkcji to on wychodzi powtarzalnie, a mocno
losowo powstaja jakies defekty, ktore przepuszczaja sporo pradu
wstecznego, ale na dzialanie tranzystora nie maja wiekszego wplywu.

Hmm, ale to nie jest prąd wsteczny, tylko prąd przy zatkaniu.

Quote:
Ten prad zalezy tez od tego, czy baza odlaczona czy polaczona z
emiterem.

Będzie podłączona przez rezystor.

Quote:
-prad dosc duzy jak na baterie - trzeba jakies dobre/duze,

2x AA. Za tym będzie przetwornica step-up na 5V, a jej obciążenie to
średnio 150 mA (28BYJ-48 5V, czyli albo 100 albo 200 mA w zależności
od ilości sterowanych jednocześnie uzwojeń; średnio 150 mA).

Jak napięcie siądzie, to nie będzie tragedii, byle nie siadło za bardzo
(bo procesor zasilany bezpośrednio z baterii). Sama przetwornica pójdzie i
z 0.8V (tzn. nie wiem czy ruszy, ale jak już ruszy, to powinna pracować).

Quote:
-trzeba dobrze wysterowac PNP, zeby sie nasycil. 30-60mA ... troche
szkoda tyle marnowac ...

Czemu aż tyle? Zakładałem z 10x mniej. hfe podają 100-600.

Tak czy inaczej kluczowe jest dla mnie, żeby układ nie rozładowywał
baterii, gdy będzie leżał w szufladzie. Nie będzie często używany,
ale jak mogę uniknąć wyłącznika, to czemu tego nie zrobić...

Quote:
-bedzie troche elementow dodatkowych ... pmos chyba prosciej wyjdzie.

Hmm, przy PMOS będzie ich mniej?

Mało który PMOS z kolei w pełni otworzy się przy tak niskim Ugs...

--
[ Email: a_at_b a=grp b=chmurka.net ]
[ Web: http://www.chmurka.net/ ]

Adam Wysocki
Guest

Wed Mar 21, 2018 5:26 pm   



Piotr Gałka <piotr.galka_at_cutthismicromade.pl> wrote:

Quote:
https://www.tme.eu/pl/Document/64cea35058ca125cd0865c7479df01d5/BC807-xx.pdf
jest Ices = 100nA max (dla 45V).

Rzeczywiście jest. Patrzyłem tu:

https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BC807_BC807W_BC327.pdf

Googlanie za "ices cutoff current" daje trochę wyników...

https://electronics.stackexchange.com/questions/296781/bjt-dc-leakage-ices-dependency-with-vce

Ale tu, na przykład, piszą:

https://www.jedec.org/standards-documents/dictionary/terms/collector-cutoff-current-base-short-circuited-emitter-ices

"For these parameters, the collector terminal is considered to be biased
in the reverse direction when it is made positive for npn transistors or
negative for pnp transistors with respect to the emitter terminal."

Trochę nie rozumiem, czemu uważają to za "reverse direction". Przecież to
jest normalny kierunek przepływu prądu w tranzystorze (gdy tranzystor jest
otwarty).

Quote:
Przypuszczam, że jak emiter zwarty z bazą to prąd mniejszy niż jak
emiter open. Z tego chyba wynika, że Ices podają dla 45V a Icbo dla 20V.

Wysterowanie B na poziom zgodny z E to prawie ich zwarcie (szczególnie
jak mówimy o prądach w nA).

U mnie baza będzie zwarta z emiterem przez rezystor (kilkanaście kohm,
czyli dla tak małych prądów zwarcie).

Quote:
Sądzę, że praktycznie ten prąd będzie znacznie mniejszy od tych 100nA,
ale nie chcę strzelać ile.

Tak czy inaczej 100nA jest akceptowalne. W sumie (razem z MCU) niech
będzie i 300 nA, to nadal 2.62 mAh rocznie -- pomijalnie mało.

--
[ Email: a_at_b a=grp b=chmurka.net ]
[ Web: http://www.chmurka.net/ ]

Piotr Gałka
Guest

Wed Mar 21, 2018 6:28 pm   



W dniu 2018-03-21 o 16:26, Adam Wysocki pisze:
Quote:
Trochę nie rozumiem, czemu uważają to za "reverse direction". Przecież to
jest normalny kierunek przepływu prądu w tranzystorze (gdy tranzystor jest
otwarty).


Nie wczytywałem się, ale w normalnej pracy tranzystora złącze B-E jest
spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze B-K zaporowo.
P.G.

EdiM
Guest

Fri Mar 23, 2018 9:47 pm   



W dniu 21.03.2018 o 13:02, Adam Wysocki pisze:
Quote:
Cześć,

Jestem w stanie uzyskać w ten sposób ułamki mikroampera?

Normalnie puściłbym zasilanie reszty przez przyciski, ale prąd jest trochę
za duży (tact swiche mają do 50 mA, tu będzie ok. 300 mA).

Dałbym MOSFETa, bo jest spory prąd do sterowania zasilania. Oszacuj jaki

prąd możesz ciągnąć w standby. Może to nie jest wcale 0.1uA, tylko np.
5uA bez problemu. Jeśli chcesz szarpać do 300mA, to raczej nie jest
bateria CR2032, tylko coś większego. Taka CR2032 ma 210mAh i przy
ciągłym poborze prądu 4,5uA to jest 5 lat pracy.

W każdym razie wydaje się, że parametr IDSS to jest to czego szukasz
Przykładowo tutaj poniżej 1uA. Praktycznie pewnie dużo dużo mniej.
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/NTR4171P-D.PDF
--
Pozdrawiam
EdiM

Paweł Pawłowicz
Guest

Sat Mar 24, 2018 11:37 am   



W dniu 23.03.2018 o 21:47, EdiM pisze:

Quote:
Jeśli chcesz szarpać do 300mA, to raczej nie jest
bateria CR2032, tylko coś większego. Taka CR2032 ma 210mAh i przy
ciągłym poborze prądu 4,5uA to jest 5 lat pracy.

Według datasheetu Panasonica CR2032 ma rezystancję wewnętrzną około
6kOmów. 300mA to odległa abstrakcja.

P.P.

J.F.
Guest

Sat Mar 24, 2018 12:16 pm   



Dnia Sat, 24 Mar 2018 11:37:52 +0100, Paweł Pawłowicz napisał(a):
Quote:
W dniu 23.03.2018 o 21:47, EdiM pisze:
Jeśli chcesz szarpać do 300mA, to raczej nie jest
bateria CR2032, tylko coś większego. Taka CR2032 ma 210mAh i przy
ciągłym poborze prądu 4,5uA to jest 5 lat pracy.

Według datasheetu Panasonica CR2032 ma rezystancję wewnętrzną około
6kOmów. 300mA to odległa abstrakcja.

6k to tez abstrakcja. Diode potrafi zaswiecic, ze 20mA potrafi dac bez
zbytniego spadku napiecia.

Moze 6 omow ? Pol ampera pradu zwarcia ...

J.

Paweł Pawłowicz
Guest

Sat Mar 24, 2018 1:12 pm   



W dniu 24.03.2018 o 12:49, Bombardier Dąs vel Karbonylek pisze:
Quote:
użytkownik J.F. napisał:

Moze 6 omow ? Pol ampera pradu zwarcia ...

J.



ok. 6-9 om na starcie.
http://www.electronicdesign.com/sites/electronicdesign.com/files/uploads/2012/12/74814_Fig2.gif%3Bpv3b14c33a62318159.gif

Coś mi się pozajączkowało...
Bateryjka z Lidla, nówka. Napięcie 3.41V. Po dołączeniu opornika 150
omów spada do 2.94V. Opór wewnętrzny wychodzi 24 omy.
Ale i tak 300mA nie wyciągnie.

P.P.

EdiM
Guest

Sat Mar 24, 2018 1:20 pm   



W dniu 24.03.2018 o 11:37, Paweł Pawłowicz pisze:
Quote:
W dniu 23.03.2018 o 21:47, EdiM pisze:

Jeśli chcesz szarpać do 300mA, to raczej nie jest bateria CR2032,
tylko coś większego. Taka CR2032 ma 210mAh i przy ciągłym poborze
prądu 4,5uA to jest 5 lat pracy.

Według datasheetu Panasonica CR2032 ma rezystancję wewnętrzną około
6kOmów. 300mA to odległa abstrakcja.

To był tylko przykład pojemności. Przecież napisałem, ze się nie nadaje

Smile. Sam ostatnio się przekonałem, że taka bateria ma bardzo dużą
rezystancję.
--
Pozdrawiam
EdiM

Paweł Pawłowicz
Guest

Sat Mar 24, 2018 1:35 pm   



W dniu 24.03.2018 o 13:20, EdiM pisze:
Quote:
W dniu 24.03.2018 o 11:37, Paweł Pawłowicz pisze:
W dniu 23.03.2018 o 21:47, EdiM pisze:

Jeśli chcesz szarpać do 300mA, to raczej nie jest bateria CR2032,
tylko coś większego. Taka CR2032 ma 210mAh i przy ciągłym poborze
prądu 4,5uA to jest 5 lat pracy.

Według datasheetu Panasonica CR2032 ma rezystancję wewnętrzną około
6kOmów. 300mA to odległa abstrakcja.

To był tylko przykład pojemności. Przecież napisałem, ze się nie nadaje
Smile. Sam ostatnio się przekonałem, że taka bateria ma bardzo dużą
rezystancję.

Z wykresu w datasheecie Panasonika wynika, że przy prądzie 25uA napięcie
spada o 150mV, stąd opór wewnętrzny 6kOmów. Ale we wszystkich innych
wykresach w tym datasheecie są miliampery, nie mikroampery. To raczej
oni pokręcili, i miało być, że przy 25mA napięcie spada o te 150mV :-)

Pozdrawiam,
Paweł

Bombardier Dąs vel Karbo
Guest

Sat Mar 24, 2018 1:49 pm   



użytkownik J.F. napisał:

Quote:
Moze 6 omow ? Pol ampera pradu zwarcia ...

J.



ok. 6-9 om na starcie.
http://www.electronicdesign.com/sites/electronicdesign.com/files/uploads/2012/12/74814_Fig2.gif%3Bpv3b14c33a62318159.gif

Goto page 1, 2  Next

elektroda.net NewsGroups Forum Index - Elektronika Polska - Upływ w zatkanym PNP vs PMOS

NOWY TEMAT

RTV map News map